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TPC8105-H-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-7A,RDS(ON),23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-1.37Vth(V) 封装:SOP8\n用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中,其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。
供应商型号: TPC8105-H-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TPC8105-H-VB

TPC8105-H-VB概述


    产品简介


    本产品为P通道30V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),型号为TPC8105-H。TPC8105-H采用先进的TrenchFET®技术,具备高可靠性、低导通电阻和高电流承载能力的特点。该产品主要适用于负载开关和电池开关的应用领域,可广泛应用于汽车电子、工业控制、消费电子等领域。

    技术参数


    - 电压范围: VDS = -30V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):
    - TC = 25°C: ID = -9.0A
    - TC = 70°C: ID = -7.2A
    - 最大功率耗散 (TC = 25°C): PD = 4.2W
    - 结温范围: TJ, Tstg = -55°C to 150°C
    - 热阻:
    - 最大结到环境: RthJA = 40-50°C/W
    - 最大结到引脚: RthJF = 24-30°C/W
    - 门阈电压 (VGS(th)): -1.0V 至 -2.5V
    - 零门电压漏极电流 (IDSS): VDS = -30V, VGS = 0V, IDSS < -1µA
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10V: RDS(on) = 0.018Ω
    - VGS = -4.5V: RDS(on) = 0.024Ω
    - 输出电容 (Coss): 180pF
    - 反向转移电容 (Crss): 145pF
    - 总门电荷 (Qg):
    - VGS = -10V: Qg = 25-38nC
    - VGS = -4.5V: Qg = 13-20nC

    产品特点和优势


    1. 高可靠性: 100% Rg测试,确保无故障运行。
    2. 低导通电阻: 在不同门电压下具有较低的导通电阻,有效降低损耗。
    3. 宽温度范围: 具有出色的温度稳定性和可靠性,适用于极端环境。
    4. 高电流承载能力: 支持高达9.0A的连续漏极电流。
    5. 环保材料: 符合RoHS和卤素自由标准,适用于绿色制造。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    TPC8105-H常用于负载开关和电池开关的应用中。例如,在汽车电子系统中,TPC8105-H可以用于车辆电池管理系统的控制电路中,以确保电路的安全和可靠运行。在工业控制系统中,它可用于电源管理和过流保护。
    使用建议
    1. 散热设计: 由于功率耗散较大,建议使用良好的散热设计,以保持器件温度在安全范围内。
    2. 电路布局: 建议将TPC8105-H放置在靠近散热片的位置,并确保引脚连接紧密,以减少寄生电感和电阻。
    3. 参数匹配: 确保所选电路的工作条件与TPC8105-H的技术参数相匹配,避免超负荷运行。

    兼容性和支持


    TPC8105-H与其他电子元器件兼容性良好,易于集成到现有系统中。VBsemi提供全面的技术支持和维护服务,包括详尽的产品手册、应用指南和技术咨询。如有任何技术问题或需要定制化支持,客户可以通过电话400-655-8788联系VBsemi的服务团队。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 器件在高温环境下工作不稳定
    - A: 检查散热设计,确保散热片安装正确且尺寸足够。
    2. Q: 电路板上的器件温度过高
    - A: 检查电路板布局和元件选择,确保元件间距合理并符合设计要求。
    3. Q: 器件无法正常导通
    - A: 确认门极驱动电压是否满足要求,检查电路连接是否有误。

    总结和推荐


    综上所述,TPC8105-H是一款高性能的P通道MOSFET,具有低导通电阻、高电流承载能力和宽工作温度范围等显著优势。它适用于各种负载开关和电池开关的应用场合,是现代电子系统设计的理想选择。强烈推荐使用TPC8105-H,特别是在需要高可靠性、低功耗和环保材料的应用中。
    如需进一步技术支持或订购产品,请访问VBsemi官网或联系服务热线400-655-8788。

TPC8105-H-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.37V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,29mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

TPC8105-H-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TPC8105-H-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TPC8105-H-VB TPC8105-H-VB数据手册

TPC8105-H-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.2635
100+ ¥ 1.1699
500+ ¥ 1.1231
4000+ ¥ 1.0763
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