处理中...

首页  >  产品百科  >  UT2309L-AE3-R-VB

UT2309L-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: UT2309L-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT2309L-AE3-R-VB

UT2309L-AE3-R-VB概述

    P-Channel 30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品是一款P沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TrenchFET®技术制造。这款器件适用于移动计算设备中的负载开关、笔记本适配器开关及DC/DC转换器等多种应用。其主要特点是高可靠性、低导通电阻和高电流承载能力。

    技术参数


    - 电压范围: -30V
    - 最大漏源电压(VDS): -30V
    - 最大栅源电压(VGS): ±20V
    - 连续漏极电流(ID): -5.6A (TA = 25°C),-4.3A (TA = 70°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM): -18A
    - 最大功耗(PD): 2.5W (TC = 25°C),1.6W (TC = 70°C)
    - 热阻抗(RthJA): 75°C/W (最大),100°C/W (典型)
    - 阈值电压(VGS(th)): -0.5V 至 -2.0V
    - 反向传输电容(Crss): 130pF
    - 栅电荷(Qg): 11.4nC (VGS = -4.5V)

    产品特点和优势


    - 高可靠性: 100% RG测试确保产品可靠性。
    - 低导通电阻(RDS(on)): 在VGS = -10V时为0.046Ω,在VGS = -6V时为0.049Ω。
    - 高电流承载能力: 能承受高达18A的脉冲电流。
    - 适用于多种应用场景: 适合笔记本电脑、移动设备等的电源管理和转换。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关: 用于移动设备中的电源管理,如手机和平板电脑。
    - 笔记本适配器开关: 适用于笔记本电脑的充电器,保证高效能和稳定性。
    - DC/DC转换器: 可用于不同电压等级之间的电力转换,确保电压稳定输出。
    使用建议:
    - 确保电路设计中加入适当的散热措施以防止过热。
    - 使用专用工具进行焊接和安装,避免损坏引脚。
    - 定期检测电路以确保正常运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品具有良好的兼容性,可以方便地与其他标准的SOT-23封装器件搭配使用。
    - 厂商支持: 制造商提供详细的用户手册和技术支持服务,以便用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 漏极电流不稳定。
    - 解决方案: 检查电路连接,确保所有连接牢固且无短路现象。
    2. 问题: 散热效果不佳。
    - 解决方案: 加装散热片或风扇来提高散热效率。
    3. 问题: 工作温度过高。
    - 解决方案: 优化电路设计,减少功耗;选择适当的安装位置以利于散热。

    总结和推荐


    该P-Channel 30V MOSFET凭借其出色的可靠性和强大的电流承载能力,非常适合用于各种移动计算设备和电源管理系统。其低导通电阻和高阈值电压使其能够在各种应用场景下表现出色。因此,强烈推荐使用此产品,尤其是在对稳定性要求较高的场合。

UT2309L-AE3-R-VB参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 5.6A
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT2309L-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT2309L-AE3-R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT2309L-AE3-R-VB UT2309L-AE3-R-VB数据手册

UT2309L-AE3-R-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
库存: 400000
起订量: 80 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:80
合计: ¥ 27.94
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504