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MMDF6N03DR2-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,6.8/6.0A,RDS(ON),22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.73Vth(V) 封装:SOP8\n在LED照明系统中,可用于设计中功率的LED驱动模块,实现LED灯具的亮度调节和颜色控制。其中等漏极电阻和稳定的特性使其成为LED照明系统中的理想选择,提高LED灯具的性能和寿命。
供应商型号: MMDF6N03DR2-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) MMDF6N03DR2-VB

MMDF6N03DR2-VB概述

    # MMDF6N03DR2 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    MMDF6N03DR2 是一款由 VBsemi 公司生产的双通道 N 沟道 30V(漏极-源极)功率 MOSFET。这款器件采用了 TrenchFET® 技术,提供卓越的性能和可靠性,适用于多种应用场景。产品具有低导通电阻(RDS(on)),适合于直流转换器(DC/DC)、机顶盒等领域。
    主要功能
    - 双通道设计,集成两个独立的 N 沟道 MOSFET。
    - 支持高电流传输能力(最大 6A 连续电流)。
    - 提供稳定的性能,具有过压保护和温度补偿功能。
    - 遵循 RoHS 和无卤素环保标准。
    应用领域
    - 家庭网络设备,如机顶盒。
    - 小型电源管理系统,例如低电流 DC/DC 转换器。
    - 其他需要高效功率控制的应用场景。

    技术参数


    以下是 MMDF6N03DR2 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS 30 V |
    | 漏极连续电流(TJ=150°C) | ID | 1.48 | 6.2 | 5.6 | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.02 0.026 | Ω @ VGS=10V |
    | 阈值电压 | VGS(th) | 1.0 2.5 | V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS 1 | 10 | µA |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |
    此外,该器件的绝对最大额定值如下:
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 漏极脉冲电流(IDM):30A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS):5A
    - 最大功耗(PD):2.7W

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 低导通电阻:典型值为 0.022Ω(@VGS=10V),能够显著降低功耗。
    2. 高可靠性测试:100% UIS 测试和 Rg 测试,确保长期稳定运行。
    3. 环保设计:符合 RoHS 和无卤素要求,适应现代绿色电子需求。
    市场竞争力
    - 高效能:卓越的电流承载能力和快速开关性能使其在电源管理领域脱颖而出。
    - 广泛适用性:双通道设计降低了 PCB 布局复杂度,特别适合多通道系统。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 家庭网络设备:在机顶盒中用于信号放大和电源管理。
    2. 电源管理:用于小型低电流 DC/DC 转换器,实现高效的能量传输。
    使用建议
    - 散热设计:由于最高功耗限制,建议添加外部散热片以避免热失控。
    - 驱动电路优化:选择合适的栅极电阻(Rg)以确保最佳开关性能。

    兼容性和支持


    兼容性
    MMDF6N03DR2 的封装形式为 SO-8,与同类产品完全兼容,易于替换。
    厂商支持
    VBsemi 提供详细的技术文档和 24/7 客户支持,确保用户获得最佳的使用体验。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 减少栅极电阻(Rg) |
    | 温度过高 | 添加散热器或优化 PCB 布局 |
    | 功耗过高 | 增加外部冷却措施 |

    总结和推荐


    综合评估
    MMDF6N03DR2 是一款高性能的双通道 N 沟道 MOSFET,凭借其低导通电阻、高可靠性测试和绿色环保设计,在多个应用领域表现出色。
    推荐结论
    强烈推荐 MMDF6N03DR2 用于需要高效率和可靠性的应用场景,如机顶盒和小型电源系统。用户应结合具体需求进行详细的布局设计和散热规划。

MMDF6N03DR2-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@10V,26mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.73V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 6.8A,6A
配置 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

MMDF6N03DR2-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

MMDF6N03DR2-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 MMDF6N03DR2-VB MMDF6N03DR2-VB数据手册

MMDF6N03DR2-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
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