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US3400-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: US3400-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) US3400-VB

US3400-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一种用于直流/直流转换器(DC/DC Converter)的半导体功率开关器件。它采用了沟槽式FET(TrenchFET®)技术,具备高性能和低导通电阻,适用于各种高效率电源转换应用。

    2. 技术参数


    - 漏源电压 (VDS): 30 V
    - 最大连续漏电流 (TJ = 150 °C):
    - TC = 25 °C: 6.5 A
    - TC = 70 °C: 6.0 A
    - TA = 25 °C: 5.3 A
    - TA = 70 °C: 5.0 A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 25 A
    - 最大耗散功率 (PD):
    - TC = 25 °C: 1.7 W
    - TC = 70 °C: 1.1 W
    - TA = 25 °C: 1.1 W
    - TA = 70 °C: 0.7 W
    - 结温与存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 150°C
    - 最大结到外壳热阻 (RthJA): 90-115 °C/W
    - 最大结到引脚热阻 (RthJF): 60-75 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 环保合规: 符合RoHS指令2002/95/EC和IEC 61249-2-21标准,无卤素材料。
    - 高性能: 拥有非常低的导通电阻 (RDS(on)),例如在 VGS = 10 V 时为 0.030 Ω,在 VGS = 4.5 V 时为 0.033 Ω。
    - 可靠性高: 100% 阻抗测试 (Rg) 并经过设计保证。

    4. 应用案例和使用建议


    该N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 可广泛应用于电源管理电路中的DC/DC转换器。建议在应用时确保适当的散热措施,以维持良好的性能和可靠性。对于高功率应用,建议使用带有良好散热设计的PCB板。

    5. 兼容性和支持


    此产品具有良好的兼容性,可与其他标准SOT-23封装的组件一起使用。制造商提供详尽的技术支持,包括应用指南和故障排除建议,确保用户能够充分发挥其性能潜力。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关频率过高导致发热问题。
    - 解决方案: 使用散热片或改进散热设计,降低发热。
    - 问题: 导通电阻偏大影响效率。
    - 解决方案: 确保正确安装并选择合适的驱动电压 (VGS),通常在10 V左右。
    - 问题: 电路响应时间长。
    - 解决方案: 减少外部栅极电阻 (Rg),以加快开关速度。

    7. 总结和推荐


    总体而言,这款N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 在电源转换应用中表现出色,特别是低导通电阻使其成为高效应用的理想选择。鉴于其高可靠性和广泛的适用性,强烈推荐用于需要高效率和紧凑设计的应用场合。对于任何特定应用,建议客户与制造商进行详细讨论,以确保最佳匹配和性能。

US3400-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 6.5A
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

US3400-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

US3400-VB数据手册

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US3400-VB封装设计

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