处理中...

首页  >  产品百科  >  K1896-VB

K1896-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: K1896-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1896-VB

K1896-VB概述


    产品简介




    K1896-VB 是一款适用于高电压应用的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有 60 V 的漏源电压(VDS)。此款 MOSFET 主要应用于电源转换、电机驱动等领域,特别适合需要高电压隔离和低热阻的应用场景。它的主要特点是具有高电压隔离、良好的动态响应能力以及出色的热管理性能。


    技术参数




    - 漏源电压(VDS):60 V
    - 门源阈值电压(VGS(th)):1.0 V 至 3.0 V
    - 门源漏电流(IGSS):± 100 nA
    - 零门电压漏电流(IDSS):25 μA
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):在 VGS = 10 V 时为 0.027 Ω
    - 总栅极电荷(Qg):最大 95 nC
    - 静态最大功率耗散(PD):在 TC = 25 °C 时为 52 W
    - 最大结到外壳热阻(RthJC):3.1 °C/W
    - 最大结到环境热阻(RthJA):65 °C/W
    - 最高工作结温(TJ):175 °C
    - 最小反向恢复时间(trr):140 ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):1.2 µC 至 2.8 µC


    产品特点和优势




    K1896-VB 的显著特点是具有 2.5 kVRMS 的高电压隔离能力,能够在恶劣的电气环境中提供可靠的保护。其低热阻设计有助于更好地散热,从而提高整体系统的可靠性。此外,这款 MOSFET 还具备低漏电流、高阈值电压范围以及优异的动态特性,使其非常适合用于高压电源管理和高速开关应用。


    应用案例和使用建议




    应用案例

    K1896-VB 可广泛应用于工业控制、电源转换器、电动汽车充电站等场合。例如,在高压直流转换器中,它能够有效地控制电力流,保证系统稳定运行。

    使用建议

    - 在使用过程中,确保门源电压(VGS)不超过 ±20 V 的范围,以避免损坏。
    - 对于高压环境下的应用,建议通过外部散热片或风扇加强散热,以延长 MOSFET 的使用寿命。
    - 在高温环境下工作时,应注意监测结温(TJ),以确保不超过 175 °C 的上限。


    兼容性和支持




    K1896-VB 采用 TO-220 FULLPAK 封装,与市场上主流的电路板兼容,便于集成。制造商还提供了详尽的技术支持和售后服务,包括在线帮助文档、常见问题解答和技术支持热线(400-655-8788),以便用户解决使用过程中遇到的问题。


    常见问题与解决方案




    | 问题 | 解决方案 |
    |--------------------------|-------------------------------------------|
    | 开机后发现没有电流输出 | 检查门源电压(VGS)是否在有效范围内(±20 V),必要时调整门级驱动器。 |
    | 设备温度过高 | 增加散热措施,如安装散热片或增加风扇冷却。 |
    | 电流波形不稳定 | 检查电路中的负载是否匹配,必要时调整负载阻抗。 |


    总结和推荐




    K1896-VB MOSFET 是一款高可靠性的产品,适用于多种高电压应用场合。其优秀的电气特性和热管理性能使其在市场上具有较高的竞争力。对于需要高电压隔离和快速开关性能的应用场景,K1896-VB 是一个非常理想的选择。强烈推荐在相关项目中使用这款 MOSFET。

K1896-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 45A
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1896-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1896-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1896-VB K1896-VB数据手册

K1896-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 32.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504