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K3080-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,80A,RDS(ON),6mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源模块、电机驱动器、照明控制模块等领域,可用于开关电源、电动汽车、LED照明系统等模块中的功率开关和控制器,以实现高效能量转换和稳定性能输出。
供应商型号: K3080-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3080-VB

K3080-VB概述

    K3080-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    K3080-VB 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于 TrenchFET® 系列,专为高效率开关电源设计。这款器件具备低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,在 DC-DC 转换器、电机驱动和逆变器等应用中表现卓越。其主要功能包括高效开关控制、快速响应以及低功耗运行,广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备等领域。

    2. 技术参数


    以下是 K3080-VB 的关键性能参数:
    - 电压范围:漏源击穿电压 VDS = 30V
    - 电流能力:连续漏极电流 ID = 80A(TC = 25°C),脉冲漏极电流 IDM = 200A
    - 热阻抗:最大结到壳热阻 RthJC = 0.5°C/W
    - 导通电阻:典型值 RDS(on) = 0.006Ω(VGS = 10V),RDS(on) = 0.009Ω(VGS = 4.5V)
    - 封装:TO-220AB
    - 存储温度范围:Tstg = -55°C 至 +175°C

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET 技术:采用先进的沟槽工艺,实现更低的导通电阻和更高的开关速度。
    - 高可靠性:100% Rg 和 UIS 测试确保产品在极端条件下的稳定运行。
    - 环保合规:符合 RoHS 指令(2011/65/EU),满足无铅焊接要求。
    - 卓越的动态性能:优秀的输入电容(Ciss = 1600pF)、输出电容(Coss = 525pF)和反向传输电容(Crss = 370pF)。
    - 低热阻:RthJA = 32°C/W,可有效散热,提高设备寿命。

    4. 应用案例和使用建议


    K3080-VB 常见于 DC-DC 转换器、电池管理、LED 驱动器等应用场景。以下是一些使用建议:
    - 在高频开关电路中,可通过降低栅极电阻(Rg < 1Ω)进一步提升开关速度。
    - 使用时需注意散热设计,建议外接大面积散热片或强制风冷以保持结温低于 175°C。
    - 调整栅极电压(VGS = 10V 或更高),以充分利用低 RDS(on) 特性。

    5. 兼容性和支持


    K3080-VB 与主流 TO-220AB 封装设备兼容,便于直接替换其他品牌的类似产品。VBsemi 提供完善的技术支持和长期供货保障,客户可通过官方热线 400-655-8788 获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致性能下降 | 检查散热设计,必要时增加风扇或加大散热片面积。 |
    | 开关损耗较大 | 降低栅极电阻 Rg 或调整工作频率至最佳范围。 |
    | 导通电阻过高 | 提高栅极驱动电压至额定值(VGS ≥ 10V)。 |

    7. 总结和推荐


    K3080-VB 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,具有出色的开关特性和低功耗特性。其适合用于多种高压开关电源应用,尤其在对体积、效率和可靠性有较高要求的场合表现优异。建议在需要高效能转换的电子系统中优先选用此款器件。
    推荐指数:★★★★★

K3080-VB参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 80A
栅极电荷 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3080-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3080-VB数据手册

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K3080-VB封装设计

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