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UF830G-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: UF830G-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UF830G-TA3-T-VB

UF830G-TA3-T-VB概述

    UF830G-TA3-T N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UF830G-TA3-T 是一款高性能 N-通道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)等领域。这款 MOSFET 的主要特点是低栅极电荷(Qg)和高耐受能力,能够在严苛的工作环境中稳定运行。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压(VDS): 600V
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.780Ω @ 10V栅极电压
    - 最大总栅极电荷(Qg max): 49nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs): 13nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd): 20nC
    - 最大连续漏电流(ID): 8.0A @ 25°C
    - 最大脉冲漏电流(IDM): 37A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS): 290mJ
    - 最大重复雪崩电流(IAR): 8.0A
    - 最大重复雪崩能量(EAR): 17mJ
    - 最大功率耗散(PD): 170W @ 25°C
    - 最大结壳热阻(RthJC): 0.75°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷: 简化驱动要求,降低驱动电路复杂度。
    - 增强的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性: 提高了抗干扰能力和可靠性。
    - 全面的电容和雪崩电压及电流特征: 保证了稳定可靠的工作特性。
    - 优化的导通电阻(RDS(on)): 保证了高效的转换效率。

    4. 应用案例和使用建议


    UF830G-TA3-T 可用于多种应用场景,例如开关电源和不间断电源系统。在实际使用中,建议用户根据具体的应用环境和需求选择合适的驱动方式和散热措施,以确保最佳性能和可靠性。
    - 开关电源 (SMPS): 使用此 MOSFET 可以有效提升电源系统的转换效率和稳定性。
    - 不间断电源 (UPS): 提供高效可靠的电力供应,满足关键任务负载的需求。

    5. 兼容性和支持


    UF830G-TA3-T 具有良好的兼容性,适用于多种工业标准和应用环境。VBsemi 提供详尽的技术支持,包括安装指南和故障排查服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备在高温度环境下无法正常工作。
    - 解决办法: 检查散热系统是否良好,并确保散热片安装正确且无堵塞。
    - 问题2: MOSFET 过早失效。
    - 解决办法: 确认驱动电路和负载匹配良好,避免过压或过流情况发生。

    7. 总结和推荐


    UF830G-TA3-T N-通道功率 MOSFET 在各方面都表现出色,具备高效、稳定、耐用等特点,特别适合应用于开关电源和不间断电源系统。对于需要高效能和可靠性的应用场景,我们强烈推荐使用这款 MOSFET。同时,建议用户在购买前详细了解其具体规格和技术要求,以确保满足特定项目的需求。

UF830G-TA3-T-VB参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 8A
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 600V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UF830G-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UF830G-TA3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UF830G-TA3-T-VB UF830G-TA3-T-VB数据手册

UF830G-TA3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
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