处理中...

首页  >  产品百科  >  UT136N03-VB

UT136N03-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: UT136N03-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT136N03-VB

UT136N03-VB概述


    产品简介


    UT136N03 N-Channel 30-V MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),适用于多种应用场合。该产品主要用于电源管理和开关控制,如OR-ing电路、服务器电源系统及DC/DC转换器。由于其高效率和可靠性,UT136N03非常适合需要高频开关和低导通电阻的应用环境。

    技术参数


    - 电压规格:
    - 漏源电压(VDS):30 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 电流规格:
    - 持续漏极电流(TJ = 175 °C):
    - TC = 25 °C 时:110 A
    - TA = 25 °C 时:39 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):30 A
    - 功率规格:
    - 最大功耗(PD):
    - TC = 25 °C 时:250 W
    - TC = 70 °C 时:175 W
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):375 mJ
    - 热阻:
    - 最大结至环境热阻(RthJA):32 °C/W
    - 最大结至外壳热阻(RthJC):0.5 °C/W

    产品特点和优势


    UT136N03具有以下独特功能和优势:
    1. 全栅电阻测试和UIS测试:确保产品可靠性和一致性的全面测试。
    2. 符合RoHS标准:符合欧盟RoHS指令,环保无害。
    3. 低导通电阻:在VGS = 10 V时,RDS(on)为0.0020 Ω;在VGS = 4.5 V时,RDS(on)为0.0028 Ω。
    4. 高阈值电压温度系数:确保在各种温度下性能稳定。
    5. 宽工作温度范围:从-55 °C到175 °C,适用于极端环境条件。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - OR-ing电路:用于保护多路输入电源系统的电源路径切换。
    - 服务器电源系统:提供高效可靠的电源管理。
    - DC/DC转换器:实现高效的直流到直流电能转换。
    使用建议
    - 在设计电路时,注意计算最大电流和功耗,以避免因过载导致的损坏。
    - 使用适当的散热措施来提高产品的可靠性和寿命。
    - 在低温环境下使用时,考虑导通电阻的变化,进行适当的调整。

    兼容性和支持


    - 兼容性:UT136N03适用于标准TO-220封装,可以轻松安装在PCB板上。
    - 支持:台湾VBsemi公司提供了全面的技术支持,包括产品资料下载、常见问题解答和售后服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:导通电阻RDS(on)变化
    - 解决方案:通过测量VGS电压来调整,确保VGS达到设定值。

    - 问题2:高温环境下稳定性下降
    - 解决方案:增加散热措施,如安装散热片或风扇,确保器件在额定温度范围内运行。

    - 问题3:电路过热
    - 解决方案:检查电路设计和负载情况,适当降低工作电流或增加散热装置。

    总结和推荐


    UT136N03是一款高性能、高可靠性的N-Channel MOSFET,适合于多种电力管理应用。它具备低导通电阻、高阈值电压温度系数和宽工作温度范围等特点,使其在复杂的工作环境中表现出色。综上所述,强烈推荐UT136N03在需要高效电力管理的应用中使用。

UT136N03-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.8mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 180A
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT136N03-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT136N03-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT136N03-VB UT136N03-VB数据手册

UT136N03-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
1000+ ¥ 2.1526
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 37.9
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504