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K2256-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,12A,RDS(ON),190mΩ@10V,228mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.1Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: K2256-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2256-01-VB

K2256-01-VB概述

    K2256-01-VB Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K2256-01-VB 是一款由VBsemi公司生产的N-通道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET具有出色的动态dv/dt额定值、重复雪崩额定值、快速开关性能和易于并联的特点。这些特性使得它广泛应用于电力电子系统、电源管理设备和电机控制等领域。

    技术参数


    以下是K2256-01-VB的关键技术参数:
    - 漏源电压(VDS):250V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.068Ω (VGS = 10V, ID = 8.4A)
    - 最大漏极电流(ID):14A (TC = 25°C), 8.5A (TC = 100°C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):56A
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压(VDS):250V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.0-4.0V
    - 栅源漏电(IGSS):±100nA
    - 零栅压漏电流(IDSS):25μA (VDS = 250V, VGS = 0V)
    - 动态参数:
    - 输入电容(Ciss):1300pF
    - 输出电容(Coss):330pF
    - 反向传输电容(Crss):85pF
    - 总栅极电荷(Qg):68nC
    - 栅源电荷(Qgs):11nC
    - 栅漏电荷(Qgd):35nC
    - 热阻参数:
    - 最大结到环境热阻(RthJA):62°C/W
    - 最大结到外壳(漏极)热阻(RthJC):1.0°C/W
    - 封装:TO-220AB

    产品特点和优势


    K2256-01-VB 的独特之处在于其高动态dv/dt额定值和重复雪崩额定值,这使得它能够在高压和高频环境下可靠运行。此外,其简单的驱动要求和快速开关性能使其在多种应用中表现出色。这些特点使其在市场上具有较强的竞争力,适用于需要高效、可靠的功率管理的应用场合。

    应用案例和使用建议


    K2256-01-VB 可以用于多种电力电子系统,如直流-直流转换器、逆变器和电机驱动系统。根据手册中的信息,我们建议在使用时注意以下几点:
    - 在设计电路时要确保负载电流不超过最大漏极电流(ID),以避免损坏MOSFET。
    - 考虑到散热问题,应合理选择散热器,并确保良好的热传导路径,以避免过热。
    - 在进行开关操作时,注意栅极驱动波形的设计,以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    K2256-01-VB 采用标准的TO-220AB封装,可以轻松与其他标准MOSFET封装相兼容。VBsemi公司提供详细的技术文档和在线支持,包括数据手册、应用指南和技术咨询服务。如果您有任何技术问题,可以通过服务热线400-655-8788联系VBsemi的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    根据手册中的信息,以下是一些常见的问题及解决方案:
    - 问题:如何确定MOSFET的工作温度范围?
    解决方案: 参考手册中的绝对最大额定值部分,可以看到工作结温和存储温度范围为-55°C至+150°C。
    - 问题:MOSFET的最大安全工作区域是什么?
    解决方案: 参考手册中的图8(典型最大安全工作区域),可以看到在不同温度下对应的漏电流和漏源电压限制。
    - 问题:如何测量总栅极电荷(Qg)?
    解决方案: 参考手册中的图13(基本栅极电荷波形),可以了解测量方法和电路连接方式。

    总结和推荐


    K2256-01-VB 功率MOSFET是一款高性能的产品,具备出色的动态特性和可靠性,非常适合于各种电力电子应用。其高dv/dt额定值、重复雪崩额定值和快速开关性能使其成为市场的优质选择。综上所述,强烈推荐K2256-01-VB用于需要高效、可靠的功率管理的电子系统中。

K2256-01-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@10V,228mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 250V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 12A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2256-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2256-01-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2256-01-VB K2256-01-VB数据手册

K2256-01-VB封装设计

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