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K1441-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: K1441-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1441-VB

K1441-VB概述

    K1441-VB N-Channel MOSFET 技术手册综述

    产品简介


    K1441-VB 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高功率电子设备。其主要功能是在电路中作为开关或放大器使用,可以有效地控制电流流动。该产品广泛应用于电源管理、电动车辆驱动系统、工业自动化设备等领域。

    技术参数


    - 电压参数
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 500 V
    - 额定工作电压 \( V{DS} \): 500 V
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 \( ID \): 13 A (25 °C)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 50 A
    - 最大有效瞬态热阻抗 \( R{thJC} \): 0.50 °C/W
    - 电阻参数
    - 栅源泄漏电流 \( I{GSS} \): 25 μA
    - 开启电阻 \( R{DS(on)} \): 0.660 Ω (VGS = 10 V)
    - 电容参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1910 pF (VGS = 0 V, VDS = 25 V)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 2730 pF (VDS = 1.0 V, f = 1.0 MHz)
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 11 pF
    - 其他参数
    - 集成体二极管的连续正向电流 \( IS \): 13 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 560 mJ
    - 重复雪崩能量 \( E{AR} \): 25 mJ

    产品特点和优势


    K1441-VB 具有多项显著优势:
    - 较低的栅电荷 \( Qg \):这使得驱动要求简化,降低了系统的复杂度和成本。
    - 增强的坚固性:具有改进的栅、雪崩和动态 \( dV/dt \) 的坚固性。
    - 全电气特性表征:电容和雪崩电压已经过完全表征,确保了良好的一致性和可靠性。
    - 符合RoHS标准:符合2002/95/EC指令,有利于环保。

    应用案例和使用建议


    K1441-VB 主要用于高压开关电路中,例如电源管理系统、电动汽车驱动系统和工业自动化设备。为了充分发挥其性能,建议:
    - 在高功率应用中,确保使用散热器以防止过热。
    - 在低频率应用中,考虑减少输入和输出电容的影响。
    - 对于高电流应用,需注意电流限制以避免损坏。

    兼容性和支持


    K1441-VB 采用TO-220AB封装,易于安装。根据手册,它与常见的驱动电路和其他电子元件具有良好的兼容性。制造商提供了技术支持和保修服务,具体细节请咨询相关客服。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何处理过高的温度?
    - 答:确保使用适当的散热措施,如散热器或散热片,同时检查电路布局,减少寄生电感。

    2. 问:如何选择合适的驱动电阻 \( Rg \)?
    - 答:建议根据应用需求选择合适的 \( Rg \),通常情况下,推荐值为7.5 Ω。但具体值还需根据实际情况进行调整。

    总结和推荐


    K1441-VB 是一款高性能的N-Channel MOSFET,具备出色的电气特性和坚固性。其较低的栅电荷和增强的雪崩能力使其成为许多高功率应用的理想选择。总体来说,对于需要高效开关和良好可靠性的应用,强烈推荐使用 K1441-VB。
    通过上述综述,可以看出 K1441-VB 在技术参数和应用方面表现出色,适合用于多种高压应用场合。希望这些信息能够帮助您更好地了解和使用这款产品。

K1441-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 13A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
Vds-漏源极击穿电压 500V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1441-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1441-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1441-VB K1441-VB数据手册

K1441-VB封装设计

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