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6N20EG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应晶体管,具有200V的额定漏极-源极电压和10A的漏极电流。其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。200V,10A,RDS(ON),245mΩ@10V,368mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.06Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 6N20EG-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6N20EG-VB

6N20EG-VB概述

    电子元器件产品技术手册:N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

    产品简介


    N-Channel 200 V (D-S) MOSFET是一款高性能的沟槽式功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子系统中,尤其是在需要高可靠性、高效率的应用场合。它的主要功能是在PWM(脉冲宽度调制)电路中作为主侧开关。本产品具有出色的耐热性能,可以在高达175°C的结温下正常运行,并且符合RoHS环保标准。

    技术参数


    以下是N-Channel 200 V (D-S) MOSFET的关键技术规格:
    - 漏源电压 (VDS):200V
    - 门限电压 (VGS(th)):2V 至 4V
    - 零门电压漏电流 (IDSS):1µA @ 200V, VGS=0V
    - 最大漏极连续电流 (ID):10A @ 25°C
    - 最大门极电荷 (Qg):34nC @ 100V, VGS=10V
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.29Ω @ 10V, 3A, 25°C
    - 雪崩能量 (EAS):18mJ @ L=0.1mH
    - 最高耗散功率 (PD):96W @ 25°C
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    N-Channel 200 V (D-S) MOSFET的主要特点包括:
    - TrenchFET®技术:采用了先进的沟槽式结构,提供低导通电阻和高击穿电压。
    - 高温性能:可在高达175°C的环境中稳定工作,适用于恶劣的工作条件。
    - 脉宽调制优化:专门针对PWM电路进行了优化,适用于高频开关应用。
    - 100%门极电阻测试:确保每个产品都经过严格的门极电阻测试。
    - RoHS合规:满足欧盟RoHS指令要求,环保无害。

    应用案例和使用建议


    这款MOSFET适用于多种应用领域,例如开关电源、马达驱动器、光伏逆变器等。实际应用中需要注意以下几个方面:
    - 散热管理:由于其较高的连续电流能力,必须保证良好的散热设计,以防止过热。
    - 电压降额:根据手册中的SOA曲线,在不同的温度条件下进行适当的电压降额。
    - 驱动电路设计:为了减少开关损耗,应选择合适的门极驱动电阻,优化驱动电路设计。

    兼容性和支持


    N-Channel 200 V (D-S) MOSFET可以与市场上大多数电子设备和控制器兼容,其外形尺寸为TO-252,适合表面贴装工艺。厂商提供了全面的技术支持和服务热线(400-655-8788),客户可以通过这些渠道获取详细的产品资料和技术支持。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能会遇到的一些问题及其解决方案:
    - 问题:如何选择合适的门极驱动电阻?
    - 解答:选择合适的门极驱动电阻可以降低开关损耗。一般建议使用2.5Ω至10Ω之间的电阻值。

    - 问题:如何避免过热问题?
    - 解答:确保良好的散热设计,使用散热片或散热风扇,并选择适当的安装位置以提高空气流通。

    - 问题:如何确保符合RoHS标准?
    - 解答:制造商保证所有产品符合RoHS标准,建议客户购买时确认产品的认证标识。

    总结和推荐


    N-Channel 200 V (D-S) MOSFET凭借其卓越的性能和可靠性,在众多应用领域中表现出色。它不仅拥有先进的TrenchFET®技术,还具有优异的高温性能和符合环保标准的优点。因此,我们强烈推荐这款产品给需要高性能功率转换解决方案的工程师和设计师。

6N20EG-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 245mΩ@10V,368mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.06V
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Id-连续漏极电流 10A
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

6N20EG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6N20EG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 6N20EG-VB 6N20EG-VB数据手册

6N20EG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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