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K1087-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,18A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于多种低功率功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和低阈值电压,适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: K1087-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1087-VB

K1087-VB概述

    K1087-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册



    产品简介




    K1087-VB 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),工作电压为100V。此产品主要应用于电源管理、电机控制和通用开关应用等领域。该MOSFET采用隔离封装,具备高电压隔离能力和低热阻,确保了出色的性能和可靠性。


    技术参数




    - 电气特性
    - 漏源电压(VDS):100 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1.0 - 3.0 V
    - 栅源漏电流(IGSS):±100 nA
    - 零栅电压漏电流(IDSS):25 µA
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.086 Ω (VGS = 10 V)
    - 总栅极电荷(Qg):72 nC
    - 栅源电荷(Qgs):11 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):32 nC

    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):100 V
    - 栅源电压(VGS):± 20 V
    - 连续漏极电流(TC = 25 °C):18 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):68 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):720 mJ
    - 最大功率耗散(TC = 25 °C):48 W
    - 最高结温(TJ):175 °C
    - 存储温度范围(Tstg):-55 to + 175 °C

    - 热阻
    - 结至环境热阻(RthJA):65 °C/W
    - 结至外壳热阻(RthJC):3.1 °C/W


    产品特点和优势




    K1087-VB N-Channel 100-V MOSFET 具备多个显著的特点和优势,使其在市场上具有竞争力:
    - 高电压隔离:2.5 kVRMS(t = 60 s, f = 60 Hz),适用于高压系统。
    - 低热阻:结至外壳热阻仅为3.1 °C/W,有助于高效散热。
    - 动态dv/dt额定值:支持快速开关,适用于高频应用。
    - 175 °C的高工作温度:适合严苛的工作环境。
    - RoHS兼容:无铅设计,符合环保标准。


    应用案例和使用建议




    K1087-VB MOSFET 广泛应用于电源管理、电机驱动和通用开关电路中。例如,在一个典型的应用中,它可以用于高压逆变器系统,提供高效的开关性能。为了最大化其性能,建议:
    - 确保散热良好,尤其是在高温环境中。
    - 选择合适的栅极电阻,以优化开关速度和降低功耗。


    兼容性和支持




    K1087-VB 与其他标准组件兼容,并且支持多种应用配置。制造商提供了详细的安装指南和技术支持,以帮助用户更好地使用该产品。


    常见问题与解决方案




    - Q: 如何优化散热?
    - A: 使用大尺寸散热片或散热器,确保良好的热传导。还可以考虑采用风扇或其他主动冷却措施。

    - Q: 如何选择合适的栅极电阻?
    - A: 通过计算确定合适的栅极电阻值,以平衡开关速度和功率损耗。参考技术手册中的图表和数据进行选型。

    - Q: 在高压应用中如何避免过压损坏?
    - A: 使用瞬态电压抑制二极管(TVS)或其他过压保护装置,确保电路安全。


    总结和推荐




    K1087-VB N-Channel 100-V MOSFET 是一款高性能的MOSFET,具备卓越的电气特性和可靠性。它的高电压隔离、低热阻和宽工作温度范围使其非常适合于高压、高频和恶劣环境下的应用。我们强烈推荐这款产品,特别是在需要高效开关性能的电源管理和电机控制应用中。如果您正在寻找一款高性能、可靠且灵活的MOSFET,K1087-VB 将是一个绝佳的选择。

K1087-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,120mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 18A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1087-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1087-VB数据手册

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K1087-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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