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MDD2601RH-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: MDD2601RH-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) MDD2601RH-VB

MDD2601RH-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET
    产品类型: N沟道30伏MOSFET
    主要功能: 用于电源管理中的开关控制
    应用领域:
    - OR-ing: 在电源冗余系统中实现负载共享和故障保护
    - 服务器: 在高可靠性计算环境中作为关键部件
    - DC/DC转换器: 用于电压调节和稳压

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 30V
    - 连续漏极电流 (ID): 100A(在TJ=175°C时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 300A
    - 连续栅源电流 (IGSS): ±100nA
    - 最大功率耗散 (PD): 235W(在TC=25°C时)
    - 静态阈值电压 (VGS(th)): 1.5V 至 2.5V
    - 最大工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    独特功能:
    - TrenchFET® Power MOSFET: 高效开关和低导通电阻,提供优异的性能。
    - 100% Rg 和 UIS 测试: 确保产品质量,符合RoHS指令要求。
    - 低栅极电荷: 减少开关损耗,提高效率。
    - 高耐受性: 能够承受较高的瞬态电压和电流冲击,适用于苛刻的应用环境。
    优势:
    - 高可靠性: 经过严格的测试,确保在各种条件下的稳定性和可靠性。
    - 低热阻: 有效的散热设计,确保长时间运行的稳定性。
    - 广泛兼容: 适用于多种应用场景,如服务器和DC/DC转换器,具有较强的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - OR-ing电路中的应用,确保在主电源失效时,备用电源能够迅速接管,保证系统的连续供电。
    - 服务器中的电源管理,通过快速切换提高系统整体效率。
    - DC/DC转换器中,提供高效电压调节和稳压。
    使用建议:
    - 散热设计: 建议采用适当的散热措施,如使用散热片或散热器,以避免因过热导致的性能下降。
    - 应用环境监测: 定期检查工作环境的温度,确保不超过最大工作温度范围。
    - 驱动电路优化: 使用合适的栅极驱动电路,减少栅极电荷,提高开关速度。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该MOSFET与多数标准电路兼容,可以轻松集成到现有系统中。
    支持和维护:
    - 制造商提供详细的技术文档和客户支持,确保用户能够顺利安装和调试。
    - 24小时服务热线:400-655-8788

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    | 问题 | 解决方法 |

    | 漏电流过大 | 检查驱动电路是否正常,更换栅极驱动器。 |
    | 开关频率不稳定 | 检查散热是否充分,调整散热措施。 |
    | 导通电阻异常增大 | 检查环境温度,避免超过最大工作温度范围。 |

    总结和推荐


    综合评估:
    - 该N-Channel 30-V MOSFET凭借其出色的开关性能、高效的散热设计和广泛的兼容性,非常适合在高可靠性计算和电力管理领域应用。
    - 在服务器和DC/DC转换器中,它能够提供高效可靠的电源管理和电压调节。
    - 推荐使用:鉴于其优异的性能和高可靠性,我们强烈推荐在上述应用场景中使用该产品。

MDD2601RH-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 100A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

MDD2601RH-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

MDD2601RH-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 MDD2601RH-VB MDD2601RH-VB数据手册

MDD2601RH-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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