处理中...

首页  >  产品百科  >  K3868-VB

K3868-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K3868-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3868-VB

K3868-VB概述

    Power MOSFET 技术手册



    产品简介



    这款 Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能电子元件,广泛应用于多种电力电子系统中。其主要功能是作为开关器件来控制电流流动,从而实现对各种电力系统的有效管理和转换。本产品特别适用于服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)、照明设备(如高亮度放电灯和荧光灯管),以及工业设备。


    技术参数



    - 基本规格:
    - VDS(最大漏源电压):650V
    - RDS(on)(最大导通电阻):1Ω(25°C时)
    - Qg(总栅极电荷):13nC(10V时)
    - Qgs(栅源电荷):4.1nC(10V时)
    - Qgd(栅漏电荷):4.8nC(10V时)
    - Configuration:单个
    - 绝对最大额定值:
    - Drain-Source Voltage(漏源电压):650V
    - Gate-Source Voltage(栅源电压):±30V
    - Continuous Drain Current(连续漏电流):25A(10V时)
    - Pulsed Drain Current(脉冲漏电流):取决于最高结温
    - Single Pulse Avalanche Energy(单次脉冲雪崩能量):87mJ
    - Maximum Power Dissipation(最大功耗):140W
    - Operating Junction and Storage Temperature Range(工作结温和存储温度范围):-55°C 至 +150°C
    - Maximum Junction-to-Ambient(最大结点到环境):63°C/W


    产品特点和优势



    这款 Power MOSFET 具有多种独特功能和优势:
    - 低图数值:Ron x Qg 低,使整体效率提高。
    - 低输入电容:Ciss 小,可减少开关损耗。
    - 低栅极电荷:Qg 低,进一步降低开关损耗。
    - 雪崩能量评级:UIS 高,增强可靠性。
    这些特性使其非常适合于高效能电源转换应用,显著降低了整个系统的能耗,提高了整体效率。


    应用案例和使用建议



    应用案例

    - 服务器和电信电源供应:用于高功率密度的应用中,确保高效的电源管理。
    - 照明:适用于 HID 和荧光灯管的驱动电路,提供稳定的电流控制。
    - 工业:在各种工业设备中,例如电机控制和逆变器系统中,用于精确的电流管理。

    使用建议

    - 在高功率应用中,建议使用散热器以保证良好的热管理。
    - 注意栅极驱动的设计,确保不会超过最大栅极电压。
    - 选择合适的寄生电感和接地平面设计,以避免振铃效应。


    兼容性和支持



    - 兼容性:与标准 TO-220 FULLPAK 封装兼容,方便安装和集成。
    - 支持:提供详细的技术文档和支持,包括设计指南和常见问题解答。联系制造商获取更多帮助。


    常见问题与解决方案



    - 问题:栅极电压过高导致损坏。
    - 解决方案:确保栅极驱动电路不超过规定电压。
    - 问题:温度过热导致性能下降。
    - 解决方案:使用散热器并确保良好的空气流通。
    - 问题:开关损耗大导致效率下降。
    - 解决方案:优化栅极驱动设计,减少栅极电荷。


    总结和推荐



    总的来说,这款 Power MOSFET 在功率管理领域表现出色,具有优秀的性能和可靠性。特别是在需要高效能和低损耗的应用场景中,如服务器和电信电源供应系统,它提供了出色的解决方案。因此,强烈推荐用于需要高效率和稳定性的电力电子系统中。

K3868-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 7A
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3868-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3868-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3868-VB K3868-VB数据手册

K3868-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504