处理中...

首页  >  产品百科  >  K3433-VB

K3433-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: K3433-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3433-VB

K3433-VB概述

    # K3433-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3433-VB 是一款 N 沟道增强型 60V 功率 MOSFET,设计用于满足高效率、低功耗和快速开关的应用需求。该产品采用 TO-220AB 封装形式,具备无卤素、表面贴装、可焊性高等特性,符合 RoHS 标准(2002/95/EC)。凭借其出色的动态 dv/dt 评级、逻辑级门驱动和快速开关能力,K3433-VB 在电机控制、电源管理、LED 驱动和其他高性能电子系统中得到广泛应用。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 60 | V |
    | 漏极电流(连续) | ID | - | 50 | - | A |
    | 漏极电流(脉冲) | IDM | - | - | 200 | A |
    | 门限电压 | VGS(th) | 1.0 | - | 2.5 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | 0.024 | - | 0.028 | Ω |
    | 静态输入电容 | Ciss | - | 190 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | - | pF |
    | 关断延时时间 | td(off) | - | 2 | - | ms |
    热阻抗
    | 参数 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 结-壳热阻 | RthJC | - | 1.0 | °C/W |
    | 结-环境热阻 | RthJA | - | 62 | °C/W |

    产品特点和优势


    K3433-VB 的核心优势体现在以下几个方面:
    1. 高可靠性:通过无卤素设计和 RoHS 标准认证,确保长期运行稳定性。
    2. 快速开关性能:动态 dv/dt 高达 4.5 V/ns,支持高频电路设计。
    3. 紧凑封装:TO-220AB 封装便于表面贴装,适合多种应用场合。
    4. 卓越的热性能:高散热效率,适配多种功率等级。
    5. 逻辑级门驱动:兼容常见的微控制器信号输出。

    应用案例和使用建议


    K3433-VB 广泛应用于电机驱动、DC-DC 转换器、太阳能逆变器及通信电源模块中。在实际应用中,建议采取以下措施以优化性能:
    - 在高频开关电路中,注意减小寄生电感和提高 PCB 布局的接地性能。
    - 使用适当的热管理策略,如加装散热片或风扇,以避免因温度过高导致的性能下降。
    - 根据负载特性选择合适的栅极驱动电阻,以降低开关损耗。

    兼容性和支持


    K3432-VB 与其他标准接口和驱动器高度兼容,可直接替换同规格产品。厂商提供全方位的技术支持,包括样品申请、技术文档下载以及售后服务热线(400-655-8788),助力客户快速完成产品开发和集成。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 调整栅极驱动电阻,优化波形上升时间 |
    | 温度过高 | 加强散热措施,例如安装散热器或改进 PCB 设计 |
    | 输出电流不足 | 确保驱动电压符合规格要求 |

    总结和推荐


    综上所述,K3433-VB 是一款面向高性能需求的 N 沟道 MOSFET,其优异的开关性能、稳定的热管理能力和灵活的应用适应性使其成为众多领域的理想选择。我们强烈推荐 K3433-VB 作为高效能电子系统的首选元器件。

K3433-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3433-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3433-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3433-VB K3433-VB数据手册

K3433-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
1000+ ¥ 1.4911
库存: 400000
起订量: 20 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 35
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831