处理中...

首页  >  产品百科  >  TK72E12N1-VB

TK72E12N1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,180A,RDS(ON),3.8mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: TK72E12N1-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TK72E12N1-VB

TK72E12N1-VB概述

    # N-Channel 100 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 是一种沟槽型功率场效应晶体管(TrenchFET®),广泛应用于电源管理、电机驱动、电池充电和其他需要高效率和低损耗的应用场景。
    主要功能
    - 具有低栅极电阻(Rg)和低输出电容(Coss)
    - 适用于脉冲负载和瞬态电流情况
    - 支持高达 100 V 的漏源电压(VDS)
    应用领域
    - 电源管理
    - 电机驱动
    - 电池充电电路
    - 通信设备
    - 汽车电子

    技术参数


    静态参数
    - 漏源电压(VDS):100 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.5 V 至 3.5 V
    - 零栅压漏电流(IDSS):在 VDS = 100 V 时最大为 500 μA
    - 导通状态漏源电阻(RDS(on)):在 VGS = 10 V 时典型值为 0.0038 Ω
    动态参数
    - 输入电容(Ciss):在 VDS = 25 V,f = 1 MHz 时典型值为 5780 pF
    - 输出电容(Coss):典型值为 3070 pF
    - 总栅极电荷(Qg):在 VDS = 50 V,ID = 70 A 时典型值为 125 nC
    极限参数
    - 最大漏源电压(VDS):100 V
    - 最大栅源电压(VGS):±20 V
    - 最大连续漏电流(ID):180 A(TC = 25 °C),140 A(TC = 125 °C)
    - 最大单脉冲雪崩电流(IAS):73 A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):266 mJ
    - 最大功耗(PD):250 W(TC = 25 °C),83 W(TC = 125 °C)
    工作环境
    - 工作温度范围:-55 °C 至 +175 °C
    - 热阻:结至环境(RthJA)40 °C/W,结至外壳(RthJC)0.6 °C/W

    产品特点和优势


    - 低栅极电阻:可以实现快速开关,减少开关损耗。
    - 低输出电容:有助于提高高频工作性能。
    - AEC-Q101 认证:适合汽车级应用。
    - TrenchFET® 技术:具有较低的导通电阻和较高的耐受能力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    在电机驱动系统中,这款 MOSFET 能够有效处理大电流和瞬态冲击,保证系统的稳定运行。此外,在通信设备的电源管理模块中,它能显著提升效率并减少发热。
    使用建议
    - 在选择 MOSFET 时,务必确保其额定电压和电流符合应用需求。
    - 确保电路布局合理,避免因寄生电感导致的过压问题。
    - 对于高温应用,考虑使用散热片或其他散热方法以维持最佳工作温度。

    兼容性和支持


    - 该产品与大多数标准 TO-220 封装的 PCB 板兼容。
    - 提供的技术支持包括产品手册、应用指南和在线技术支持,可联系客服热线 400-655-8788 获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何测量 MOSFET 的 RDS(on)?
    - 使用万用表的二极管测试模式,连接 D 和 S 引脚,测得的读数应接近于 MOSFET 的 RDS(on)。
    2. 当 VDS 达到额定值时,是否会损坏 MOSFET?
    - 不会,但必须注意散热以防止因过热导致的故障。
    3. 如何优化 MOSFET 的散热?
    - 使用散热片并保持良好的空气流通,确保结点温度不超出极限值。

    总结和推荐


    综合评估
    这款 N-Channel 100 V MOSFET 在设计上具有许多优点,如低栅极电阻和低输出电容,使得它非常适合高频应用和电机驱动系统。此外,其 AEC-Q101 认证使其适用于汽车领域。总的来说,这是一款值得推荐的产品。
    推荐使用
    对于需要高效率和可靠性、且工作环境复杂的场合,这款 MOSFET 是一个理想的选择。我们强烈推荐在您的下一个项目中尝试使用它。

TK72E12N1-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 180A
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.8mΩ@ 10V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

TK72E12N1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TK72E12N1-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TK72E12N1-VB TK72E12N1-VB数据手册

TK72E12N1-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.996
100+ ¥ 6.4778
500+ ¥ 5.9596
1000+ ¥ 5.7005
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 69.96
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504