处理中...

首页  >  产品百科  >  MTP4N45-VB

MTP4N45-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: MTP4N45-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) MTP4N45-VB

MTP4N45-VB概述

    MTP4N45 N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    MTP4N45 是一款 N-通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种高功率和高频应用。这款 MOSFET 主要应用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源系统(UPS)以及其他高速电力转换场景。其卓越的电气特性和稳定的性能使其成为众多电源设计的理想选择。

    2. 技术参数


    MTP4N4N5 的关键参数如下所示:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | - | 600 | - | V |
    | 阈值电压 | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 源漏饱和电流 | - | 8.0 | - | A |
    | 门源充电电荷 | - | 13 | - | nC |
    | 总充电电荷 | - | 49 | - | nC |
    | 门极电阻 | 0.5 | - | 3.2 | Ω |
    | 单脉冲雪崩能量 | - | 290 | - | mJ |

    3. 产品特点和优势


    MTP4N45 的优势在于低门极电荷 Qg,这降低了驱动要求;改进的门极、雪崩和动态 dV/dt 耐久性;以及全面表征的电容和雪崩电压及电流。这些特性使得 MTP4N45 在开关电源、不间断电源等应用场景中表现优异。

    4. 应用案例和使用建议


    MTP4N45 在诸如开关模式电源和不间断电源系统中广泛应用。使用建议包括确保系统在最大结温条件下能有效散热,并遵循厂商提供的焊接推荐温度,以保证产品的稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    MTP4N45 与大多数常见的电路拓扑结构兼容,如钳位前向、主开关等。厂商提供详细的技术文档和支持服务,有助于用户在应用过程中解决技术难题。

    6. 常见问题与解决方案


    常见的问题包括雪崩耐受能力不足和热稳定性问题。这些问题可以通过优化热管理方案和采用适当的保护电路来解决。

    7. 总结和推荐


    MTP4N45 凭借其出色的性能和可靠的设计,在开关电源和不间断电源等领域表现出色。它的独特优势和广泛的应用前景使其成为市场上极具竞争力的产品。强烈推荐在需要高性能电力转换的应用中使用 MTP4N45。
    通过上述分析可以看出,MTP4N45 在高功率和高频应用中表现出色,且具有优良的电气特性和可靠性。这款 MOSFET 是在开关电源和不间断电源系统中值得推荐的选择。

MTP4N45-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 8A
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

MTP4N45-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

MTP4N45-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 MTP4N45-VB MTP4N45-VB数据手册

MTP4N45-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 31.09
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831