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UTT30P04L-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-40V,-65A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:'TO252 用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。
供应商型号: UTT30P04L-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT30P04L-TN3-R-VB

UTT30P04L-TN3-R-VB概述

    # UTT30P04L-TN3-R P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    UTT30P04L-TN3-R 是一款由台湾 VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产的高性能 P-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。此型号具有出色的功率处理能力,主要适用于电源管理、电机驱动、汽车电子及各类工业控制系统。其核心特点包括 TrenchFET® 结构、低热阻封装以及严格的测试标准,使其在高电流和高温环境下仍能保持优异性能。

    技术参数


    以下是 UTT30P04L-TN3-R 的关键技术参数:
    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | \(V{DS}\) | -40 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | \(V{GS(th)}\) | -1.5 | - | -2.5 | V |
    | 零栅源漏电流 | \(I{DSS}\) | \(V{GS} = 0 \text{V}, V{DS} = -40 \text{V}\) | - | -1 | A |
    | 正向传输电容 | \(C{oss}\) | - | 508 | 635 | pF |
    | 总栅电荷 | \(Qg\) | \(V{GS} = -10 \text{V}, V{DS} = -30 \text{V}, ID = -50 \text{A}\) | - | 60 | nC |
    | 栅电阻 | \(Rg\) | \(f = 1 \text{MHz}\) | 1.5 | 3 | 4.5 | Ω |
    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (\(V{DS}\)) | -40 V
    - 栅源电压 (\(V{GS}\)) | ±20 V
    - 连续漏极电流 (\(ID\)) | -50 A (TC = 25 °C), -39 A (TC = 125 °C)
    - 脉冲漏极电流 (\(I{DM}\)) | -200 A
    - 单脉冲雪崩电流 (\(I{AS}\)) | -40 A
    - 单脉冲雪崩能量 (\(E{AS}\)) | 80 mJ
    - 最大功耗 (\(PD\)) | 136 W (TC = 25 °C), 45 W (TC = 125 °C)
    热阻额定值
    - 结至环境热阻 (\(R{thJA}\)) | 50 °C/W
    - 结至外壳热阻 (\(R{thJC}\)) | 1.1 °C/W

    产品特点和优势


    UTT30P04L-TN3-R 采用 TrenchFET® 结构,相较于传统 MOSFET,具有更低的导通电阻和更高的电流密度,能够在高频开关应用中表现出色。此外,该型号经过 100% 的栅极电阻 (Rg) 和单脉冲雪崩耐受测试 (UIS),确保了其可靠性与稳定性。结合低热阻封装设计,使该器件在高功率应用中具有显著的优势。

    应用案例和使用建议


    UTT30P04L-TN3-R 主要应用于电源转换器、电机驱动、汽车电子系统及工业自动化控制等领域。例如,在电源转换器中作为高效率的开关管,可以有效降低系统的整体功耗。为了充分发挥其性能,建议在设计电路时应注意以下几点:
    - 使用较大的栅极电阻以减少寄生效应。
    - 在布局布线时保证良好的散热通道,特别是在高电流应用场合。
    - 选择合适的 PCB 材料和尺寸,以确保热阻指标符合要求。

    兼容性和支持


    UTT30P04L-TN3-R 支持 TO-252 封装标准,具有广泛的兼容性,可应用于多种不同的电路板设计中。VBsemi 提供详尽的技术支持文档及客户咨询服务,帮助客户解决在应用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高频应用中,开关损耗过大。
    - 解决方案:检查 PCB 布局,增加栅极电阻并优化走线,尽量缩短栅极驱动线长度。

    - 问题2:过高的温度导致性能下降。
    - 解决方案:改进散热措施,如使用大面积铜箔、增加散热片等方法增强散热效果。

    总结和推荐


    UTT30P04L-TN3-R 是一款高度可靠的 P-Channel MOSFET,凭借其优越的性能和广泛的适用范围,在电力电子和工业自动化领域具有较高的市场竞争力。建议在高功率、高频开关应用中优先考虑使用该型号,但需注意正确安装和使用以避免潜在风险。

UTT30P04L-TN3-R-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,13mΩ@4.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 65A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTT30P04L-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT30P04L-TN3-R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT30P04L-TN3-R-VB UTT30P04L-TN3-R-VB数据手册

UTT30P04L-TN3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
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型号 价格(含增值税)
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