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K46A08N1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,90A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K46A08N1-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K46A08N1-VB

K46A08N1-VB概述

    K46A08N1-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K46A08N1-VB 是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的TrenchFET®技术,适用于多种高电压和高温环境下的电力转换及控制应用。产品符合RoHS指令,最大结温可达175°C,具有优异的可靠性和耐用性。其主要功能包括高效电流开关、低导通电阻(RDS(on)),广泛应用于直流到直流转换器、电机驱动器、电源管理电路以及各种工业控制系统中。

    2. 技术参数


    以下为K46A08N1-VB的主要技术规格和参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS 100 | V |
    | 栅极-漏极电容 | Coss | 665 pF |
    | 反向恢复时间 | trr | 85 140 | ns |
    | 峰值反向恢复电流 | IRM(REC) | 4.5 7 | A |
    | 最大脉冲漏极电流(单脉冲) | IDM | 287 A |
    | 集成栅极电荷 | Qg 105 nC |
    | 热阻抗(PCB安装) | RthJA | 40 °C/W |
    其他关键特性:
    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C
    - 脉冲电流能力:高达287A(单脉冲)
    - 符合RoHS标准,绿色环保设计

    3. 产品特点和优势


    K46A08N1-VB 的核心优势体现在以下几个方面:
    - 卓越的热稳定性:在最高175°C的结温下依然保持稳定的性能表现。
    - 高效的开关性能:极低的RDS(on),在典型条件下仅为0.008Ω,显著降低导通损耗,提高效率。
    - 高可靠性:通过严格的工业测试,确保产品在严苛环境中的长期稳定运行。
    - RoHS合规性:无铅制造,满足环保要求,适合全球化应用。
    这些特性使得K46A08N1-VB成为现代电力电子系统的核心组件,在功率密度和能效方面具有显著的竞争优势。

    4. 应用案例和使用建议


    K46A08N1-VB 广泛用于以下领域:
    - 直流到直流转换器
    - 工业电源和电机驱动器
    - 太阳能逆变器
    使用建议:
    1. 在高电流场景中,应注意散热设计以避免过热。
    2. 结合外部驱动器使用时,可降低Qg值以减少开关时间损耗。
    3. 在恶劣环境中(如高温环境),建议增加外部保护电路以延长使用寿命。

    5. 兼容性和支持


    K46A08N1-VB 与市场上主流的封装形式兼容,易于与其他模块集成。
    - 兼容性:支持TO-220FULLPAK封装,适合批量生产。
    - 支持和服务:提供详尽的技术文档和客户支持服务,欢迎访问公司官网 www.VBsemi.com 或拨打服务热线 400-655-8788 进行咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的用户疑问及其解决方案:
    1. 问:如何选择合适的驱动电压?
    - 答:建议使用10V驱动电压以确保最佳性能和最低导通电阻。
    2. 问:产品在高温环境下性能是否会下降?
    - 答:不会,产品支持最高175°C结温,适合高温工况。
    3. 问:如何判断是否过载?
    - 答:通过测量漏极电流或热阻值来确认设备状态。

    7. 总结和推荐


    K46A08N1-VB 是一款集高性能与高可靠性于一体的N沟道MOSFET,尤其适合对耐温性和效率要求较高的电力电子应用。其出色的热稳定性和低功耗特性使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐此产品用于需要高功率、高效能的应用场景。
    如有任何疑问,请联系我们的技术支持团队,我们将竭诚为您服务!
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:www.VBsemi.com

K46A08N1-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 90A
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,11mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K46A08N1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K46A08N1-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K46A08N1-VB K46A08N1-VB数据手册

K46A08N1-VB封装设计

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