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UD4006-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
供应商型号: UD4006-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UD4006-VB

UD4006-VB概述

    N-Channel 4-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    N-Channel 4-V MOSFET(型号:UD4006)是一款专为同步整流和电源供应设计的高效率电子元器件。该产品采用TrenchFET®功率MOSFET技术,提供低导通电阻(RDS(on)),适用于多种电力电子应用。

    2. 技术参数


    以下是根据技术手册提取的N-Channel 4-V MOSFET的主要技术规格和性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS 4 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±25 V |
    | 连续漏极电流 | ID 85 A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 250 A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | 80 A |
    | 雪崩能量 | EAS | 320 mJ |
    | 连续源漏二极管电流 | IS 110 A |
    | 最大功率耗散 | PD | 312 W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |
    | 热阻 | RthJA | 32 40 | °C/W |
    其他电气特性如输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)和反向转移电容(Crss)等,在不同条件下的典型值也可以在手册中找到。

    3. 产品特点和优势


    N-Channel 4-V MOSFET 的主要特点和优势如下:
    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试保证产品的高可靠性和稳定性。
    - 低导通电阻:在VGS=10V时,RDS(on)仅为0.0050Ω;在VGS=4.5V时,RDS(on)为0.0065Ω。
    - 快速开关性能:良好的动态特性和总栅电荷,适合高频应用。
    - 高功率密度:能够在紧凑封装内实现高性能,特别适合空间受限的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    N-Channel 4-V MOSFET 广泛应用于同步整流和电源供应领域。例如,它可用于AC-DC转换器、DC-DC转换器、电池充电器和其他电力管理模块中。使用建议如下:
    - 选择合适的驱动电路:确保栅极驱动信号能够充分开关MOSFET,减少导通损耗。
    - 散热管理:虽然具备良好的热性能,但在高功率应用中仍需合理设计散热方案。
    - 保护电路:建议添加过压、过流和短路保护电路,以增强系统的整体可靠性。

    5. 兼容性和支持


    N-Channel 4-V MOSFET 的引脚布局符合标准TO-252封装,易于与其他电子元件集成。厂商提供技术支持,包括应用指南和技术文档,帮助客户顺利使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的用户问题及其解决方案:
    - 问题:如何判断MOSFET是否损坏?
    - 解决办法:测量其漏源电压VDS,如果出现异常,可能是内部短路导致。
    - 问题:如何正确接线?
    - 解决办法:参考产品手册中的连接图,确保每个引脚正确无误地连接到电路板上。

    7. 总结和推荐


    综上所述,N-Channel 4-V MOSFET(UD4006)是一款性能卓越的电子元器件,适合各种电力电子应用。它的低导通电阻、快速开关性能和高可靠性使其在市场上具有显著的竞争优势。强烈推荐在需要高效率电力转换和电源管理的应用中使用该产品。

UD4006-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.85V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,5mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 85A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UD4006-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UD4006-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UD4006-VB UD4006-VB数据手册

UD4006-VB封装设计

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