处理中...

首页  >  产品百科  >  RQK0606KGDQATL-E-VB

RQK0606KGDQATL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n产品适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。\nN沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: RQK0606KGDQATL-E-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RQK0606KGDQATL-E-VB

RQK0606KGDQATL-E-VB概述


    产品简介


    产品类型:本产品是一款N沟道60伏(漏-源)功率MOSFET,型号为RQK0606KGDQATL-E,适用于电池开关和DC/DC转换器等多种应用。
    主要功能:该MOSFET具有出色的导通电阻(RDS(on)),能够在低栅极电压下保持较低的导通电阻。此外,它还具有高栅极电荷和快速开关速度,适用于多种高频应用。
    应用领域:该产品广泛应用于电池开关、DC/DC转换器、负载开关和其他需要高效能开关的电路中。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |
    | :: | :: |
    | 漏-源击穿电压 VDS | 60V |
    | 最大漏电流 ID | 4.0A (TC=25°C), 3.4A (TC=70°C) |
    | 最大脉冲漏电流 IDM | 12A |
    | 最大源-漏二极管电流 IS | 1.39A (TC=25°C) |
    | 单脉冲雪崩电流 IAS | 6A |
    | 单脉冲雪崩能量 EAS | 1.8mJ |
    | 最大耗散功率 PD | 1.66W (TC=25°C), 1.06W (TC=70°C) |
    | 最大工作结温和存储温度范围 TJ, Tstg | -55°C to 150°C |
    | 热阻 RthJA | 90°C/W (最大值) |

    产品特点和优势


    - 高可靠性:采用TrenchFET®技术,100% Rg和UIS测试确保了产品的可靠性和耐用性。
    - 低导通电阻:漏源导通电阻低至0.075Ω(VGS=10V),保证了较高的效率。
    - 快速开关速度:具有较短的开关时间,适合高频应用。
    - 高可靠性设计:卤素无铅,符合IEC 61249-2-21标准,环保安全。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 用于笔记本电脑、手机充电器中的DC/DC转换器。
    - 在电动汽车电池管理系统中作为开关元件。
    使用建议:
    - 由于其低导通电阻,适用于需要高效率的应用,如电源管理单元。
    - 在高频应用中,要注意散热问题,以防止因过热而导致性能下降。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此MOSFET可与其他同类产品兼容,适合不同种类的电路板。
    - 支持:制造商提供详尽的技术支持,包括但不限于产品规格书、应用指南和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |
    | :: | :: |
    | 开关频率过高导致发热严重 | 加强散热措施,例如加装散热片。 |
    | 开关过程中出现异常噪音 | 检查电路布局,避免信号干扰。 |
    | 高温环境下工作性能不稳定 | 使用更高效的散热材料或降低工作负载。 |

    总结和推荐


    综上所述,这款N沟道60伏MOSFET凭借其卓越的性能参数和独特的功能优势,在各类高频应用中表现优异。它不仅能够提供高效的电源管理和稳定的开关性能,还具备良好的兼容性和技术支持。因此,我们强烈推荐这款产品用于需要高效率、高可靠性的场合。

RQK0606KGDQATL-E-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 4A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@10V,96mΩ@4.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

RQK0606KGDQATL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

RQK0606KGDQATL-E-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 RQK0606KGDQATL-E-VB RQK0606KGDQATL-E-VB数据手册

RQK0606KGDQATL-E-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
库存: 400000
起订量: 35 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:35
合计: ¥ 27.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504