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WTC2301-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:'SOT23-3\n一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: 14M-WTC2301-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WTC2301-VB

WTC2301-VB概述


    产品简介


    WTC2301 P-Channel 20-V MOSFET
    WTC2301 是一款P沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET),具有极低的导通电阻和高可靠性。这款MOSFET被广泛应用于负载开关、功率放大器开关以及DC/DC转换器等领域。其独特的TrenchFET®技术使得其在高频开关应用中表现出色,适用于各类消费电子和工业控制应用。

    技术参数


    - 最大电压:VDS(漏源电压) = 20V
    - 最大电流:ID(连续漏电流) = 5A @ TC=25°C;IDM(脉冲漏电流) = 18A
    - 导通电阻:
    - VGS = -10V时,ID = -5.1A时,RDS(on) = 0.035Ω
    - VGS = -4.5V时,ID = -4.5A时,RDS(on) = 0.043Ω
    - VGS = -2.5V时,ID = -3.7A时,RDS(on) = 0.061Ω
    - 输入电容:Ciss = 835pF(VDS = -10V,VGS = 0V,f = 1MHz)
    - 输出电容:Coss = 180pF
    - 反向传输电容:Crss = 155pF
    - 总栅极电荷:Qg = 10nC(VDS = -10V,VGS = -4.5V,ID = -5.1A)
    - 热阻:RthJA(结到环境最大值) = 75°C/W;RthJF(结到脚最大值) = 40°C/W
    - 封装尺寸:TO-236/SOT-23
    - 工作温度范围:TJ(工作结温),Tstg(存储温度) = -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    - Halogen-free:根据IEC 61249-2-21标准定义,产品不含卤素,环保安全。
    - TrenchFET®技术:这种先进的技术提高了器件的开关速度,降低了损耗,提升了整体性能。
    - 100% Rg测试:确保所有产品均通过栅极电阻测试,保证了出厂质量。
    - RoHS兼容:符合RoHS指令2002/95/EC,绿色环保。
    - 高温性能:能够在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作,适用于严苛环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 负载开关:用于自动控制系统中,如洗衣机或冰箱中的电机驱动。
    2. PA开关:在无线通信系统中,用于放大器的开关控制。
    3. DC/DC转换器:在各种电源模块中作为关键部件,实现电压转换。
    使用建议
    - 在使用过程中,确保工作环境温度不超过150°C,以避免过热损坏。
    - 考虑到栅极电荷的影响,选择合适的驱动电路和栅极电阻值。
    - 注意散热设计,特别是高功率应用时,需要增加外部散热片或其他冷却措施。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WTC2301采用标准的SOT-23封装,可以方便地与其他电子元器件或设备兼容,适用于多种电路板布局。
    - 支持:VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,包括产品规格书、应用指南和技术支持热线400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高频率应用中,器件出现过热现象。
    - 解决方案:检查散热设计,增加散热片或使用更高效的散热方式。

    2. 问题:器件导通电阻偏大,影响了效率。
    - 解决方案:确认驱动电路参数正确,选择适当的栅极电阻值,并确保工作电压满足要求。
    3. 问题:频繁开关时,器件出现击穿。
    - 解决方案:确保工作电压不超过20V,必要时添加额外的保护电路。

    总结和推荐


    综上所述,WTC2301是一款性能优异的P-Channel MOSFET,具有较低的导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性。它在多种应用场景中表现出色,特别是在高频开关和高功率密度的应用中。对于那些需要高效且可靠的开关解决方案的设计者来说,WTC2301无疑是一个值得推荐的选择。强烈建议在相关项目中优先考虑这款产品。

WTC2301-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 4A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

WTC2301-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WTC2301-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WTC2301-VB WTC2301-VB数据手册

WTC2301-VB封装设计

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150+ ¥ 0.2833
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3000+ ¥ 0.2044
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