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UTT25P10G-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-15A,RDS(ON),120mΩ@10V,144mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: UTT25P10G-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT25P10G-TN3-R-VB

UTT25P10G-TN3-R-VB概述

    P-Channel 100V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    P-Channel 100V MOSFET(P通道100V MOSFET)是一种采用沟槽技术的功率场效应晶体管(TrenchFET® Power MOSFET),适用于电源开关和直流/直流转换器等领域。其设计目的是在高可靠性要求的应用环境中提供高效稳定的电流控制能力。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | -100 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 连续漏极电流 | ID | - | - | -16 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | -50 | A |
    | 通态漏源电阻 | RDS(on) | - | 0.100 | 0.120 | Ω |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | - | - | -1 | A |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | 1055 | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 65 | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | 41 | pF |

    3. 产品特点和优势


    该P-Channel 100V MOSFET的主要特点包括:
    - 符合RoHS指令2002/95/EC。
    - 绝缘卤素材料符合IEC 61249-2-21标准定义。
    - 每个单元均经过100%的Rg和UIS测试。
    - 特有的TrenchFET®沟槽技术提供了更低的导通电阻和更高的效率。
    这些特点使得该产品在电源管理和转换应用中表现出色,能够有效降低系统功耗并提高可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源开关:用于各种电源设备中的开关控制。
    - 直流/直流转换器:广泛应用于消费电子产品和工业自动化领域。
    使用建议:
    - 在高压环境下使用时,确保散热良好,避免因温度过高导致损坏。
    - 确保栅极电压稳定,避免过高的栅极电压导致器件失效。
    - 根据具体应用场景调整工作参数,如温度和电流限制,以优化性能和寿命。

    5. 兼容性和支持


    该产品具有良好的通用性,可广泛应用于多种电路设计中。厂商提供详细的安装指南和技术支持,确保用户能够顺利集成并使用该器件。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 栅极电压不稳定 | 使用稳定的电源,避免电压波动。 |
    | 过热现象 | 确保良好的散热设计,增加散热片。 |
    | 寿命短 | 检查工作条件是否符合规格要求,避免过载。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,这款P-Channel 100V MOSFET在性能、可靠性和适用范围方面表现优异。其高效的电流控制能力和广泛的适用领域使其成为电源管理和转换应用的理想选择。强烈推荐在相关项目中使用该产品。
    如果您对产品有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系VBsemi的服务热线:400-655-8788。

UTT25P10G-TN3-R-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@10V,144mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Id-连续漏极电流 15A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTT25P10G-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT25P10G-TN3-R-VB数据手册

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UTT25P10G-TN3-R-VB封装设计

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