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55N055-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252\n适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
供应商型号: 55N055-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 55N055-VB

55N055-VB概述


    产品简介


    产品名称:55N055 N-Channel MOSFET
    55N055是一款由VBsemi公司生产的N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用了TrenchFET®技术,具有卓越的性能和可靠性。这款电子元器件广泛应用于电源管理、电机控制、工业自动化以及其他需要高效能电子元件的场合。

    技术参数


    以下是55N055的技术规格和关键参数:
    - 基本规格
    - 漏源电压(VDS):60V
    - 导通电阻(RDS(on)):在VGS = 10V时为0.010Ω;在VGS = 4.5V时为0.013Ω
    - 最大连续漏极电流(ID):在TC = 25°C时为175°C(结温)

    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(ID):175°C(结温)
    - 单次雪崩能量(EAS):125mJ
    - 最大功率耗散(PD):136W
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C到175°C

    - 热阻率
    - 最大结点到环境(RthJA):15°C/W(短脉冲≤10秒),最大值为18°C/W
    - 最大结点到外壳(RthJC):0.85°C/W

    产品特点和优势


    55N055的主要特点包括:
    - 高耐热性能:可在高达175°C的结温下工作,适合高温环境下的应用。
    - 超低导通电阻:在不同栅源电压下表现出优秀的导电特性,保证高效率和低功耗。
    - TrenchFET®技术:采用先进的沟槽技术,减少了栅极氧化层缺陷,提高了可靠性。
    - 大电流承载能力:能够承受高达175°C的结温下的大电流,适用于大功率应用场合。
    这些特性使得55N055在市场上具备显著的竞争优势,特别是在高可靠性要求的应用场景中,如汽车电子、工业自动化等。

    应用案例和使用建议


    应用案例:电源管理模块
    55N055常用于电源管理模块,尤其是在需要高效能和高稳定性的系统中。在这样的应用场景中,该MOSFET的高耐热性和低导通电阻可以确保系统的稳定运行和较长寿命。
    使用建议:
    - 确保散热措施得当,避免因过热导致性能下降或损坏。
    - 在设计电路时考虑栅极驱动的要求,确保快速准确的开关操作。
    - 定期检测和测试MOSFET的工作状态,以确保长期可靠运行。

    兼容性和支持


    55N055与多种电子设备和组件具有良好的兼容性。厂商提供了详细的安装和使用指南,并提供技术支持和维护服务,以确保客户能够充分发挥产品的性能。

    常见问题与解决方案


    问题1:过高的栅源电压导致MOSFET损坏
    解决方案: 确保栅源电压不超过规定范围(±20V),并合理设计栅极驱动电路。
    问题2:导通电阻增大影响系统性能
    解决方案: 定期检查MOSFET的工作状态,必要时更换以保证系统性能。

    总结和推荐


    总结:
    55N055凭借其高耐热性、超低导通电阻和先进的TrenchFET®技术,在众多应用中表现优异。这些特点使其成为高可靠性应用的理想选择。
    推荐:
    我们强烈推荐55N055用于需要高性能、高稳定性的应用场合。对于追求系统效率和可靠性的工程师来说,这是一款非常值得选择的产品。

55N055-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 60A
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,11mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.87V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

55N055-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

55N055-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 55N055-VB 55N055-VB数据手册

55N055-VB封装设计

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