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K4075-ZK-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
供应商型号: K4075-ZK-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4075-ZK-VB

K4075-ZK-VB概述

    # N-Channel 4-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    产品类型
    本产品是一款N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Power MOSFET),型号为K4075-ZK。它属于沟槽型(TrenchFET®)MOSFET,专为高效率和高可靠性设计。
    主要功能
    该产品主要用于同步整流和电源供应等领域。其核心功能包括低导通电阻(RDS(on))、高连续漏极电流(ID)和快速开关特性。
    应用领域
    - 同步整流:适用于高效率的电源系统。
    - 电源供应:适用于各种电力电子应用,如电源适配器、服务器电源等。

    技术参数


    静态参数
    - 漏源击穿电压:VDS = 40 V
    - 门源阈值电压:VGS(th) = 1.2 ~ 2.5 V
    - 零门电压漏极电流:IDSS ≤ 1 µA
    - 正向体二极管电压:VSD = 0.8 ~ 1.2 V
    - 漏源导通电阻:RDS(on) = 0.0050 Ω(VGS = 10 V, ID = 30 A)
    动态参数
    - 输入电容:Ciss = 2380 pF
    - 输出电容:Coss = 550 pF
    - 反向传输电容:Crss = 250 pF
    - 总栅极电荷:Qg = 80 ~ 120 nC
    其他参数
    - 连续漏极电流:ID = 85 A(TC = 25 °C)
    - 脉冲漏极电流:IDM = 250 A
    - 最大功耗:PD = 312 W(TC = 25 °C)
    - 热阻:RthJA = 32 °C/W(最大值)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:使得在高电流下损耗更小,提升能效。
    - 高连续漏极电流:适合于高功率应用。
    - 快速开关特性:减少了开关损耗,提高了效率。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品的可靠性和一致性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该MOSFET常用于同步整流电路中,通过减少二极管导通时的损耗来提高转换效率。例如,在电源适配器中,它可以显著降低损耗并提高整体能效。
    使用建议
    - 确保散热设计合理,以防止过热。建议使用合适的散热片或散热器来提高散热效果。
    - 在高频应用中,应注意布局优化,以减少寄生电感和电容的影响。
    - 在实际应用中,建议进行详细的温度测试,以验证其在高温下的性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品采用TO-252封装,可方便地安装在标准PCB上。其引脚布局符合行业标准,易于与其他组件兼容。
    - 技术支持:制造商提供全面的技术文档和支持,包括详细的应用指南和技术支持热线。如有任何问题,可通过400-655-8788联系客服获得帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 优化散热设计,增加散热片面积,改善空气流动。 |
    | 输出波形不稳定 | 检查输入电源是否稳定,确保门极驱动信号无噪声干扰。 |
    | 寿命短 | 严格遵守使用环境条件,避免过载和超温。 |

    总结和推荐


    综合评估
    K4075-ZK MOSFET在性能参数上表现出色,具有低导通电阻和高连续漏极电流的特点,特别适合用于高效率电源应用。其优秀的热管理和可靠的电气特性使其成为许多电力电子应用的理想选择。
    推荐使用
    鉴于其高效能和广泛应用范围,强烈推荐在需要高效率电源管理的场合使用K4075-ZK MOSFET。建议用户在设计和应用过程中仔细阅读技术手册,以充分发挥其潜力。

K4075-ZK-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,5mΩ@4.5V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 85A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.85V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K4075-ZK-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4075-ZK-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4075-ZK-VB K4075-ZK-VB数据手册

K4075-ZK-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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