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UPA1758G-E2-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,6.8/6.0A,RDS(ON),22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.73Vth(V) 封装:SOP8\n在LED照明系统中,可用于设计中功率的LED驱动模块,实现LED灯具的亮度调节和颜色控制。其中等漏极电阻和稳定的特性使其成为LED照明系统中的理想选择,提高LED灯具的性能和寿命。
供应商型号: UPA1758G-E2-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1758G-E2-VB

UPA1758G-E2-VB概述

    UPA1758G-E2 Dual N-Channel 30-V MOSFET 技术手册



    1. 产品简介



    UPA1758G-E2 是一款采用表面贴装工艺的双N沟道MOSFET。它特别适用于机顶盒及低电流DC/DC转换器等领域。此款MOSFET具备高可靠性,是高性能电源管理应用的理想选择。


    2. 技术参数



    以下是UPA1758G-E2的主要技术规格:

    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |---------------------|-------|--------|-------|------|
    | 漏源电压 (VDS) | 30 30 | V |
    | 栅源电压 (VGS) | ±20 V |
    | 持续漏极电流 (TJ = 150°C) | 5.6 | 6.2 | 6.2 | A |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | 30 A |
    | 持续源漏二极管电流 (TC = 25°C) | 2.25 | 1.48 | 1.48 | A |
    | 最大功率耗散 (TC = 25°C) | 2.7 | 1.78 | 1.78 | W |
    | 热阻(结到壳) (T ≤ 10 s) | 58 | 70 | °C/W |
    | 热阻(结到引脚)(稳态) | 38 | 45 | °C/W |


    3. 产品特点和优势



    - 卤素自由: 符合IEC 61249-2-21标准定义。
    - TrenchFET® 功率MOSFET: 提供更优的电气性能。
    - 100% UIS测试: 确保可靠性能。
    - 100% Rg测试: 确保器件一致性。
    - 符合RoHS指令: 满足环保要求。


    4. 应用案例和使用建议



    - 典型应用: 机顶盒、低电流DC/DC转换器等。
    - 使用建议: 为确保最佳性能,建议在设计时充分考虑散热需求。尤其在高温环境下,应适当降额使用以防止过热损坏。


    5. 兼容性和支持



    - 兼容性: 与标准SO-8封装兼容,可直接替换同类产品。
    - 支持信息: 由台湾VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务。客户可通过400-655-8788热线获取更多信息。


    6. 常见问题与解决方案



    - 问题1: 过热导致性能下降。
    - 解决方案: 加强散热措施,如增加散热片或改进散热设计。
    - 问题2: 开关频率过高导致发热严重。
    - 解决方案: 降低开关频率,适当增加栅极电阻以减缓开关速度。


    7. 总结和推荐



    UPA1758G-E2 作为一款高性能的双N沟道MOSFET,具有优良的电气特性和可靠性,非常适合用于低功耗和高可靠性要求的应用场景。其出色的温度适应性和广泛的适用范围使其成为市场上的一款强有力的竞争者。强烈推荐用于需要高性能电源管理和可靠性的应用场景。

    ---
    本手册由台湾VBsemi公司提供,所有产品和服务信息均受到相应条款和条件的保护。

UPA1758G-E2-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.73V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Id-连续漏极电流 6.8A,6A
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@10V,26mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1758G-E2-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1758G-E2-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA1758G-E2-VB UPA1758G-E2-VB数据手册

UPA1758G-E2-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
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