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2SK2869-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
供应商型号: 2SK2869-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2869-VB

2SK2869-VB概述

    产品概述:2SK2869 N-Channel 60V MOSFET

    产品简介


    2SK2869 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道60V TrenchFET®功率MOSFET,具有出色的热稳定性和高效能。此MOSFET广泛应用于电源转换、电机驱动、工业控制等领域,因其低导通电阻(rDS(on))和高耐温能力而备受青睐。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 (VDS): 60V
    - 阈值电压 (VGS(th)): 1.0V 至 3.0V
    - 漏极连续电流 (TJ = 175°C): 23A (TC = 25°C), 100A (脉冲)
    - 电气特性
    - 漏源导通电阻 (rDS(on)):
    - VGS = 10V, ID = 15A 时为 0.025Ω
    - VGS = 4.5V, ID = 10A 时为 0.030Ω
    - 零门限电压漏极电流 (IDSS): VDS = 60V, VGS = 0V 时为 1μA
    - 转移电容 (Ciss): 1500pF
    - 前向恢复时间 (trr): 30ns 到 60ns
    - 工作环境
    - 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围: -55°C 至 +175°C
    - 热阻: RthJA = 18°C/W (最大),RthJC = 3.2°C/W (最大)

    产品特点和优势


    2SK2869 的主要特点包括:
    - 低导通电阻: 在不同条件下的低导通电阻显著减少了功率损耗,提高了整体效率。
    - 高耐温能力: 可承受高达175°C的工作结温,适用于高温环境的应用。
    - 高可靠性: 具有出色的热稳定性和抗短路能力,增强了在极端条件下的耐用性。

    应用案例和使用建议


    2SK2869 适用于多种高压开关电源、电机驱动器及工业控制系统。例如,在需要高性能和高可靠性的直流-直流转换器中,2SK2869 可以有效减少发热并提高整体系统效率。在使用过程中,建议注意以下几点:
    - 适当散热设计,确保热稳定性。
    - 注意门极驱动电路的设计,避免过度的栅极充电和放电,减少损耗。
    - 定期检查连接点的电气性能,确保长期运行的可靠性。

    兼容性和支持


    2SK2869 兼容标准的 TO-252 封装,易于在现有设计中集成。VBsemi 提供了详尽的技术文档和支持,包括设计指南和常见问题解答,确保用户能够充分利用该产品的性能优势。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关频率过高导致器件过热。
    - 解决方法: 增加散热片面积或使用强制风冷。

    - 问题2: 门极驱动电压不足导致导通时间延长。
    - 解决方法: 增大门极驱动电压至推荐值以上。

    - 问题3: 漏极电流波动大。
    - 解决方法: 使用滤波电容器稳定输入电压。

    总结和推荐


    总体来看,2SK2869 N-Channel 60V MOSFET凭借其出色的低导通电阻、高耐温能力和高可靠性,是一款非常值得推荐的产品。它不仅适用于高压和高电流应用,还能提供良好的热管理性能,非常适合在恶劣环境下工作的应用场合。无论是设计新的电源转换器还是改进现有的工业控制系统,2SK2869 都是理想的选择。

2SK2869-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 45A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK2869-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2869-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2869-VB 2SK2869-VB数据手册

2SK2869-VB封装设计

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