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K3408-T1B-A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n产品适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。\nN沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: K3408-T1B-A-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3408-T1B-A-VB

K3408-T1B-A-VB概述

    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 是一款由VBsemi生产的高效能功率场效应晶体管(Power MOSFET)。它具有低导通电阻和快速开关速度等特点,广泛应用于电池开关、直流/直流转换器等领域。此款MOSFET符合RoHS标准,并且是无卤素设计,适合各种现代电子产品的需求。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术参数和性能指标:
    - 基本参数:
    - 漏源电压(VDS):60 V
    - 连续漏极电流(ID):4.0 A(TC=25°C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):12 A
    - 最大结到壳热阻(RthJC):≤ 5 s
    - 最大结到壳热阻(RthJA):≤ 115 °C/W
    - 最大功率耗散(PD):1.66 W(TC=25°C)
    - 电气特性:
    - 开启状态下的漏源导通电阻(RDS(on)):0.075 Ω(VGS = 10 V, ID = 1.9 A)
    - 零栅压漏极电流(IDSS):1 µA(VDS = 60 V, VGS = 0 V)
    - 输入电容(Ciss):180 pF(VDS = 30 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容(Coss):22 pF
    - 总栅电荷(Qg):2.1 nC(VDS = 30 V, VGS = 4.5 V, ID = 1.9 A)
    - 转移电容(Crss):13 pF
    - 传输增益(gfs):5 S(VDS = 15V, ID = 1.9 A)
    - 环境适应性:
    - 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 存储温度范围:-55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:0.075 Ω(VGS = 10 V),确保高效的电流传输,减少能量损耗。
    - 快速开关性能:总栅电荷仅为2.1 nC,有助于提高系统效率并降低功耗。
    - 无卤素设计:符合IEC 61249-2-21标准,对环境友好。
    - 可靠性高:100% Rg和UIS测试,确保产品质量。
    - 紧凑封装:TO-236(SOT23)封装,便于集成于小型电路板上。

    应用案例和使用建议


    - 电池开关:用于控制电源的开启和关闭,尤其是在移动设备中,可有效延长电池寿命。
    - 直流/直流转换器:适用于多种电源转换场景,提供高效、可靠的转换能力。
    - 使用建议:
    - 在高频开关应用中,注意散热设计,避免因过热导致性能下降。
    - 选用合适的栅极驱动器,以保证开关速度和降低损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于大多数常见的电路设计,尤其是需要高效、快速响应的应用。
    - 支持和服务:VBsemi提供详尽的技术文档和客户支持,确保用户在使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET发热严重
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,增加散热片或风扇以改善散热效果。
    - 问题2:驱动电压不稳定
    - 解决方案:确保驱动器输出稳定,适当调整驱动器参数,避免过压或欠压现象。

    总结和推荐


    综上所述,N-Channel 60-V (D-S) MOSFET是一款高性能、低功耗的产品,尤其适用于电池开关和直流/直流转换器等应用场景。其低导通电阻、快速开关能力和环境友好的设计使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐用户选择此产品,以满足各类高性能电子设备的需求。

K3408-T1B-A-VB参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 4A
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@10V,96mΩ@4.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3408-T1B-A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3408-T1B-A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3408-T1B-A-VB K3408-T1B-A-VB数据手册

K3408-T1B-A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
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型号 价格(含增值税)
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