处理中...

首页  >  产品百科  >  K1160-VB

K1160-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: K1160-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1160-VB

K1160-VB概述

    # K1160-VB 功率 MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K1160-VB 是一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率和低损耗设计。它广泛应用于服务器和通信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及工业照明等领域。此外,它也适用于高强度放电灯(HID)和荧光灯的驱动电路。这款器件以其低导通电阻(RDS(on))和超低栅极电荷(Qg)而著称,能够显著减少开关和导通损耗。

    技术参数


    以下是 K1160-VB 的关键技术和性能参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 650 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2-4 V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 72 A @ 25 °C, 18 A @ 150 °C
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 200 A
    - 最大导通电阻 (RDS(on)): 0.123 Ω @ VGS = 10 V, ID = 4 A
    - 栅极电荷 (Qg): 18 nC
    - 输入电容 (Ciss): 1470 pF @ VDS = 100 V
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    这些参数表明 K1160-VB 在高压和大电流环境下具有优异的性能,尤其适合高频和高效率的开关应用。

    产品特点和优势


    1. 低功耗设计: 极低的 RDS(on) 和 Qg 值,大幅降低导通和开关损耗,提高整体系统效率。
    2. 快速开关性能: 优化的动态参数,如低输入电容和有效的输出电容特性,保证了快速的开关速度。
    3. 高可靠性: 额定雪崩能量 (UIS),确保器件在极端条件下的可靠运行。
    4. 卓越的热管理: 最大结壳热阻 RthJC 仅为 0.6°C/W,便于散热设计。
    5. 行业兼容性强: 适用于多种主流行业标准和应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和通信电源: 由于其高效的热管理和低导通电阻,K1160-VB 非常适合服务器和通信电源中需要高性能和高可靠性的场合。
    - LED 照明: 在荧光灯和 HID 灯驱动中,其快速开关性能可有效减少开关损耗并延长灯具寿命。
    - 工业应用: 广泛应用于电机控制、逆变器和焊接设备中,满足严格的工业标准。
    使用建议
    - 在设计电源转换电路时,应充分考虑寄生电感和寄生电容的影响,避免因不合适的电路布局导致的过压问题。
    - 在高温环境下工作时,建议增加散热措施,以保持最佳的工作温度。
    - 针对高频率应用,优化栅极驱动电路设计以减小开关损耗。

    兼容性和支持


    K1160-VB 完全符合 RoHS 和无卤素标准,适用于绿色电子设备的生产。厂商提供全面的技术支持,包括样品测试、应用指导和技术文档。如有需要,客户可以通过服务热线(400-655-8788)获取详细支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现过压现象 | 优化电路布局,减少寄生电感和寄生电容的影响 |
    | 温度过高 | 增加散热片或优化 PCB 设计 |
    | 导通电阻过大 | 确保工作电压高于栅源阈值电压 |

    总结和推荐


    K1160-VB 功率 MOSFET 是一款性能卓越、适用范围广泛的器件,特别适合于高效率和高频开关应用。其出色的热管理和快速开关性能使其成为现代电源设计的理想选择。我们强烈推荐此产品用于服务器、通信电源、照明以及其他工业和消费类电子产品中。如果您正在寻找一款高效、可靠的功率器件,K1160-VB 是一个值得信赖的选择。
    更多技术支持和定制化解决方案,请访问 [www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com) 或联系我们的服务热线:400-655-8788。

K1160-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 9A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1160-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1160-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1160-VB K1160-VB数据手册

K1160-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 68.02
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504