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UF730L-TN3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: UF730L-TN3-T-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UF730L-TN3-T-VB

UF730L-TN3-T-VB概述

    UF730L-TN3-T N-Channel MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    UF730L-TN3-T 是一款高性能的 N-Channel 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各类电子设备中。该产品以其低导通电阻(Ron)和栅极电荷(Qg)而著称,能够显著减少开关损耗和传导损耗。UF730L-TN3-T 主要适用于服务器、电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及各种照明系统(如高强度放电灯和荧光灯照明)。此外,它也适合工业应用。

    技术参数


    以下是 UF730L-TN3-T 的关键技术规格:
    - 最大漏源电压(VDS): 650V(在最高结温下)
    - 最大漏源导通电阻(RDS(on)): 在 25°C 下为 0.7Ω
    - 最大栅极总电荷(Qg): 36nC
    - 最大输入电容(Ciss): 147pF
    - 最大输出电容(Coss): -
    - 最大反向传输电容(Crss): -
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 97mJ
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C): 8A
    - 峰值脉冲漏极电流(IDM): 10A
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS): 650V
    - 栅源电压(VGS): ±30V
    - 最大功耗(PD): 94W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 最大热阻(RthJA): 63°C/W(结至环境)

    产品特点和优势


    UF730L-TN3-T 的主要优势在于其高效率和低损耗。它具有以下独特的功能:
    - 低损耗: 通过降低开关损耗和传导损耗,提升整体能效。
    - 超低栅极电荷: 有助于减少开关时间,提高电路速度。
    - 雪崩耐受性: 具备较强的雪崩能量耐受能力,确保在极端条件下的稳定性。
    - 高可靠性: 设计用于在高频率和高温环境下长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    UF730L-TN3-T 常见的应用包括:
    - 服务器和电信电源:用于转换和调节不同负载下的电力需求。
    - 照明系统:尤其适用于高强度放电灯和荧光灯的驱动。
    - 工业应用:用于各类工业控制系统和电机驱动。
    使用建议:
    - 散热设计:由于其较高的工作温度范围,需要特别注意散热措施,以避免过热损坏。
    - 栅极驱动:选择合适的栅极电阻(Rg),以优化开关性能和降低损耗。

    兼容性和支持


    UF730L-TN3-T 可以直接替换大多数 N-Channel MOSFET,且具有良好的互换性。制造商提供详尽的技术支持和文档资料,包括应用指南和故障排除手册。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的问题及其解决方法:
    - 问题 1: 过热问题
    - 解决方法: 确保良好的散热设计,如使用散热片和风扇来降低结温。

    - 问题 2: 栅极噪声干扰
    - 解决方法: 使用滤波电容和栅极电阻来减少噪声干扰。

    总结和推荐


    综上所述,UF730L-TN3-T 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,适用于多种应用领域。其卓越的电气特性和可靠性使其成为许多高性能应用的理想选择。强烈推荐使用 UF730L-TN3-T 在需要高效和高可靠性的电子设备中。同时,VBsemi 也提供了全面的技术支持和应用文档,确保用户可以顺利进行设计和应用。
    如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,欢迎随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

UF730L-TN3-T-VB参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 7A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UF730L-TN3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UF730L-TN3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UF730L-TN3-T-VB UF730L-TN3-T-VB数据手册

UF730L-TN3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
2500+ ¥ 3.1672
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