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K3265-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,700V,7A,RDS(ON),750mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K3265-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3265-VB

K3265-VB概述

    # K3265-VB N-Channel 700V (D-S) Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    基本介绍
    K3265-VB是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应系统以及照明系统等领域。特别是高强光灯(HID)和荧光灯照明系统中,K3265-VB表现出色。此外,它也适用于工业应用中需要高可靠性的场合。

    技术参数


    以下是K3265-VB的技术规格:
    - 最大漏源电压(VDS):700V
    - 阈值电压(VGS(th)):2-4V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.75Ω @ VGS=10V, ID=4A
    - 最大连续漏极电流(ID):5.9A @ TC=100°C
    - 总栅极电荷(Qg):≤ 3nC @ VGS=10V, ID=4A, VDS=520V
    - 输出电容(Coss):无固定数值
    - 反向传输电容(Crss):无固定数值
    - 有效输出电容(Co(er)):无固定数值
    - 有效输出电容(Co(tr)):无固定数值
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):700V
    - 栅源电压(VGS):±30V
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):7mJ
    - 最大功耗(PD):46W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55°C至+150°C

    产品特点和优势


    K3265-VB具备多项显著的特点和优势:
    - 低热阻系数(RthJA):为72°C/W,可确保快速散热,提高长期可靠性。
    - 超低栅极电荷(Qg):有助于减少切换损耗,提高效率。
    - 低输入电容(Ciss):减少了充电时间,提高了系统整体性能。
    - 重复性雪崩能量(UIS):具有优良的雪崩特性,增强了系统的稳定性和耐用性。
    - 低阈值电压(VGS(th)):使得栅极驱动更为容易,适用于逻辑电平应用。
    这些特点使K3265-VB在高要求的应用中表现卓越,特别是在需要高效能和高可靠性的场景中具有明显的优势。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    K3265-VB适用于多种应用,例如:
    - 服务器和电信电源供应系统:这类系统对电源效率和稳定性有较高要求,K3265-VB能够提供出色的性能。
    - 开关模式电源(SMPS):K3265-VB的低热阻和低栅极电荷使其成为理想的开关电源解决方案。
    - 照明系统:无论是高强光灯还是荧光灯照明系统,K3265-VB都能满足其严格的性能要求。
    使用建议
    为了充分发挥K3265-VB的优势,建议用户遵循以下几点:
    - 在选择合适的栅极驱动器时,考虑栅极电荷(Qg)低的特点,以降低功耗并提高开关速度。
    - 在设计电源电路时,注意散热管理,利用低热阻特性以延长使用寿命。
    - 对于不同的应用场景,选择适合的工作电压和电流范围,以确保最佳性能。

    兼容性和支持


    K3265-VB具有良好的兼容性,可以与其他标准的电子元件一起使用,无需特别调整即可集成到现有的电路系统中。厂商提供详尽的技术支持和售后服务,以确保客户在使用过程中获得全面的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致热损耗增加 | 减少开关频率,采用更高效的驱动器来降低功耗 |
    | 雪崩击穿电压不足 | 确保正确选择并安装过压保护装置,如瞬态电压抑制器(TVS) |

    总结和推荐


    综上所述,K3265-VB凭借其低热阻、低栅极电荷、低输入电容等优异特性,在多个应用领域中表现出色。它不仅能够提升系统的整体性能,还能够增强系统的可靠性和耐用性。对于需要高效能和高可靠性的应用来说,K3265-VB是一个理想的选择。
    因此,我们强烈推荐K3265-VB用于服务器和电信电源、开关模式电源、功率因数校正电源以及各种照明系统等应用场景。

K3265-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 700V
Rds(On)-漏源导通电阻 750mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 7A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3265-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3265-VB数据手册

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K3265-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
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500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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