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K3031-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: K3031-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3031-VB

K3031-VB概述


    产品简介


    N-Channel 100 V MOSFET
    该产品是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高压开关电源和逆变器等电力电子应用。该型号具备高耐热能力和快速开关性能,适用于PWM(脉宽调制)系统。产品符合RoHS环保指令,确保无有害物质。

    技术参数


    - 电压参数
    - 最大漏源电压(VDS):100V
    - 额定电流(TC = 25°C):13A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):18mJ
    - 电流参数
    - 最大漏极连续电流(ID):13A(TC = 25°C),40A(脉冲电流)
    - 最大源极连续电流(IS):3A
    - 温度参数
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C到175°C
    - 电阻参数
    - 开启状态漏源电阻(RDS(on)):在VGS = 10V时,典型值为0.07Ω
    - 热阻参数
    - 结至环境热阻(RthJA):15°C/W
    - 结至散热片热阻(RthJC):0.85°C/W

    产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFET:采用了先进的沟槽栅技术,提供更低的导通电阻,提升效率。
    - 高可靠性:可承受高达175°C的工作结温,适合恶劣的工作环境。
    - PWM优化:特别设计用于脉宽调制系统,具有快速响应和低开关损耗。
    - 全检测试:所有产品均经过100%电阻测试,确保产品质量。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 主要应用于初级侧开关,如DC-DC转换器、电机驱动、高频逆变器等。
    - 典型应用是高压电源系统,要求高效、可靠的开关性能。
    使用建议:
    - 由于产品具有较高的耐压能力,建议在需要较高击穿电压的应用中使用。
    - 注意散热设计,尤其是在高负载条件下,避免因过热导致性能下降。
    - 使用时应根据具体工作条件调整驱动电阻,以优化开关速度和功耗。

    兼容性和支持


    - 该产品采用TO-252封装,广泛应用于多种电路板上,方便安装和替换。
    - 厂商提供了详尽的技术文档和支持,包括热设计指导、电磁干扰控制建议等。
    - 客户可以联系台湾VBsemi公司获得进一步的技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何避免器件过热?
    解决方案:确保良好的散热设计,使用足够大的散热片或散热器。在高功率应用中,建议增加外部风扇或水冷装置。
    问题2:如何选择合适的驱动电阻?
    解决方案:根据具体应用需求选择合适的驱动电阻,以达到最佳的开关时间和减少功耗。一般情况下,可以参考产品手册中的驱动电阻推荐值。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 该N沟道100V MOSFET以其优秀的性能、高可靠性和广泛的应用范围,在电力电子领域表现出色。
    - 通过采用先进的沟槽栅技术和优异的散热性能,显著提升了开关效率和稳定性。
    推荐意见:
    - 鉴于其卓越的性能和广泛的适用性,强烈推荐该产品用于高压开关电源和电机控制系统等应用。
    - 对于要求高可靠性和高效能的电力电子系统,这款MOSFET是一个理想的选择。

K3031-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 18A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
配置 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3031-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3031-VB数据手册

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K3031-VB封装设计

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型号 价格(含增值税)
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