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K3591-01MR_0-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,45A,RDS(ON),38mΩ@10V,43mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K3591-01MR_0-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3591-01MR_0-VB

K3591-01MR_0-VB概述

    K3591-01MR_0-VB 产品技术手册



    产品简介



    K3591-01MR_0-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道200V(D-S)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款电子元器件主要应用于电源供应系统和照明系统。它的典型用途包括高效率的开关电源设计,特别是在高温环境下保持稳定的性能表现。


    技术参数



    以下是K3591-01MR_0-VB的主要技术规格:

    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |-------------------|-------------|--------|--------|--------|------|
    | 漏源电压 | VDS | 200 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±25 | - | - | V |
    | 持续漏电流 (TJ=175°C)| ID | 45 | - | - | A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | 150 | - | - | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | 20 | - | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 20 | - | - | mJ |
    | 最大功率耗散 | PD | 55 | - | - | W |
    | 热阻(PCB安装) | RthJA | 40 | - | - | °C/W |
    | 热阻(管脚到外壳)| RthJC | 0.75 | - | - | °C/W |


    产品特点和优势



    K3591-01MR_0-VB具有以下独特的功能和优势:

    1. 高性能:具备高达175°C的结温耐受能力,确保在极端条件下依然能够稳定工作。
    2. 可靠性高:所有产品都经过全面测试,包括100% Rg和UIS测试。
    3. 低导通电阻:在不同的栅源电压下表现出较低的导通电阻,如VGS=15V时为0.038Ω,在VGS=10V时为0.043Ω。
    4. 兼容性好:产品符合RoHS标准,可广泛应用于多种电路设计。


    应用案例和使用建议



    该产品被广泛应用于高效率电源转换器和LED驱动器中。例如,在高功率电源转换器中,K3591-01MR_0-VB能够有效减少功耗并提高效率。为了更好地利用这一产品,建议在设计电路时仔细考虑散热措施,以确保器件能够在长时间满载运行下保持最佳性能。此外,使用过程中应注意遵循手册中的安全指南,避免因过载导致的损坏。


    兼容性和支持



    K3591-01MR_0-VB与市面上常见的PCB板材料兼容,支持广泛的应用。台湾VBsemi公司提供完善的售后服务和技术支持,客户可以通过客服热线400-655-8788咨询相关技术问题。


    常见问题与解决方案



    1. 问题:如何确定合适的栅极电阻?
    解决方案:根据电路的具体需求选择适当的栅极电阻。通常情况下,栅极电阻的范围在0.5至2.9Ω之间。
    2. 问题:产品过热如何处理?
    解决方案:增加散热片或者优化散热路径,确保工作温度不超过最大允许值175°C。


    总结和推荐



    总体来看,K3591-01MR_0-VB是一款性能卓越、可靠性高的N沟道MOSFET。其低导通电阻、高温度耐受能力和优良的可靠性使其成为众多应用场景的理想选择。对于需要高效率和高可靠性的设计项目,强烈推荐使用K3591-01MR_0-VB。

K3591-01MR_0-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 38mΩ@10V,43mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 45A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3591-01MR_0-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3591-01MR_0-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3591-01MR_0-VB K3591-01MR_0-VB数据手册

K3591-01MR_0-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 9.7175
100+ ¥ 8.9977
500+ ¥ 8.2779
1000+ ¥ 7.9179
库存: 400000
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型号 价格(含增值税)
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