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K2638-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K2638-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2638-01MR-VB

K2638-01MR-VB概述

    K2638-01MR-VB 电子元器件技术手册

    产品简介


    K2638-01MR-VB 是一款高性能的 N-Channel 650V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种 MOSFET 主要用于电力转换应用,其低导通电阻(RDS(on))和极低的栅极电荷(Qg)使其成为多种电源应用的理想选择。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 650V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±30V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150 °C):
    - TC = 25 °C 时,ID = 12 A
    - TC = 100 °C 时,ID = 9.4 A
    - 脉冲漏极电流: IDM = 45 A
    - 热阻 (RthJA): 最大值为 60 °C/W
    - 最大功耗: PD = 3.6 W/°C
    - 绝对最高温度范围: TJ, Tstg = -55 至 +150 °C
    - 导通电阻 (RDS(on)): 在 25 °C 下,RDS(on) @ VGS = 10 V = 0.4 Ω
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值为 43 nC
    - 输入电容 (Ciss):
    - VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz 下未给出
    - 输出电容 (Coss): 未提供具体数值

    产品特点和优势


    K2638-01MR-VB 的主要特点包括:
    - 低开关损耗: 低导通电阻(RDS(on))和低输入电容(Ciss),这有助于减少开关过程中的能量损失。
    - 快速响应: 极低的栅极电荷(Qg)使得其具有较快的开关速度。
    - 高可靠性: 可承受高达 650V 的电压,并具备重复脉冲能力。
    - 高能效: 适用于高能效要求的应用,如服务器和电信电源。

    应用案例和使用建议


    K2638-01MR-VB 广泛应用于各种电力转换系统,例如:
    - 服务器和电信电源
    - 开关模式电源 (SMPS)
    - 功率因数校正 (PFC) 电源
    - 照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)
    使用建议:
    1. 确保散热良好: 高温会增加功耗并可能影响器件寿命,因此应采用适当的散热设计。
    2. 合理布局: 为了降低寄生电感和提高效率,建议采用低寄生电感的电路布局。
    3. 测试验证: 在实际应用前进行充分的测试验证,以确保器件能在预期的工作条件下稳定运行。

    兼容性和支持


    K2638-01MR-VB 与大多数标准的 TO-220 封装兼容,可用于广泛的标准电源模块和 PCB 设计。VBsemi 提供详细的技术支持和客户咨询服务,确保用户能够充分利用其潜力。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何确定适合的应用电压?
    - A: 查看技术手册中的 VDS 参数,确保不超过 650V。

    - Q: 在高电流条件下,如何避免过热?
    - A: 使用散热器并保证良好的空气流通,或者采用水冷等散热方法。

    总结和推荐


    K2638-01MR-VB N-Channel 650V 功率 MOSFET 展现出了卓越的性能和可靠性,特别适合需要高效率和低损耗的电力转换应用。其优异的耐压能力和极低的开关损耗,使得其在服务器、电信和照明系统的电源管理中表现出色。强烈推荐此产品用于需要高能效和高可靠性的电力转换应用中。
    联系我们的服务热线:400-655-8788 获取更多技术支持和服务信息。

K2638-01MR-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 12A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2638-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2638-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2638-01MR-VB K2638-01MR-VB数据手册

K2638-01MR-VB封装设计

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