处理中...

首页  >  产品百科  >  TK5A55DTA4-VB

TK5A55DTA4-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: TK5A55DTA4-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TK5A55DTA4-VB

TK5A55DTA4-VB概述

    # TK5A55DTA4 电子元器件技术手册

    产品简介


    TK5A55DTA4是一款高性能N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),以其卓越的开关性能和低功耗设计在电源管理领域占据重要地位。其主要特点包括低导通电阻(RDS(on))和超低栅极电荷(Qg),这使其成为服务器、通信设备及工业电源系统中理想的开关元件。产品适用于多种高效率应用,例如服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及高强度气体放电灯(HID)和荧光灯照明系统。

    技术参数


    以下是TK5A55DTA4的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压(VDS) | - | - | - | 650 | V |
    | 栅源阈值电压(VGS(th)) | - | 2.5 | - | 5 | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | - | - | 1.0 | - | Ω |
    | 栅极总电荷(Qg) | - | - | 36 | - | nC |
    | 输入电容(Ciss) | - | - | - | - | pF |
    | 输出电容(Coss) | - | - | - | - | pF |
    | 反向传输电容(Crss) | - | - | - | - | pF |
    | 雪崩能量(EAS) | - | - | - | 97 | mJ |
    工作环境
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 最大结温: +150°C

    产品特点和优势


    1. 低功耗设计: 具有极低的RDS(on)和Qg,能够显著降低导通和开关损耗,提升整体系统效率。
    2. 高可靠性: 支持高达650V的漏源电压和重复脉冲模式下的雪崩能量(EAS)测试。
    3. 卓越的热阻性能: 最大结壳热阻RthJC为0.6°C/W,适合高功率密度应用。
    4. 低输入电容: 输入电容(Ciss)小,减少驱动电路的功耗,提升系统的响应速度。
    这些特性使TK5A55DTA4在高效能电源管理领域具有明显竞争优势,尤其是在高效率、低损耗的设计需求中。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器电源: 在服务器电源中,TK5A55DTA4因其低功耗特性和快速开关性能,可以提高电源转换效率并减小发热量。
    2. 通信设备: 用于电信设备中的SMPS系统,能有效降低系统功耗并提升工作效率。
    3. 照明系统: 特别适用于高强度气体放电灯(HID)和荧光灯照明设备,确保系统稳定性和长寿命。
    使用建议
    - 在选择驱动电路时,建议使用低输入电容的驱动芯片以减少系统功耗。
    - 确保电路布局的低寄生电感,避免高频振荡。
    - 对于高温运行环境,建议通过良好的散热设计保持结温在安全范围内。

    兼容性和支持


    TK5A55DTA4支持常见的标准引脚封装(TO-220 Fullpak),便于集成到现有系统中。VBsemi公司提供全面的技术支持和产品文档,确保客户在使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 检查栅极驱动电路,优化Qg和Rg设置。 |
    | 热管理不佳 | 增加散热片,改善PCB散热设计。 |
    | 开关波形不理想 | 检查驱动电路参数,优化布局减少寄生电感。|

    总结和推荐


    综上所述,TK5A55DTA4是一款集高性能、高可靠性于一体的N沟道功率MOSFET,特别适用于高效率电源管理和照明系统。其低功耗特性、卓越的热阻性能和广泛的适用性使其在市场上具有强大的竞争力。对于需要高效率和低损耗的应用场景,我们强烈推荐使用此产品。如有进一步需求,欢迎联系我们的服务热线:400-655-8788。

TK5A55DTA4-VB参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

TK5A55DTA4-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TK5A55DTA4-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TK5A55DTA4-VB TK5A55DTA4-VB数据手册

TK5A55DTA4-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504