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TK20S04K3L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V) 封装:TO252 由于其中等漏极电流和适中的漏极-源极电阻,可用于设计各种电源模块,如直流-直流(DC-DC)转换器和交流-直流(AC-DC)转换器。
供应商型号: TK20S04K3L-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TK20S04K3L-VB

TK20S04K3L-VB概述


    产品简介


    产品名称: TK20S04K3L
    产品类型: N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
    主要功能: 该产品是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于各种电力转换和控制应用。通过TrenchFET技术实现高效的电流传输和低导通电阻,从而提升整体系统效率。
    应用领域: 广泛应用于服务器电源管理、直流到直流转换、以及作为系统的OR-ing保护电路。

    技术参数


    - 最大耐压值(VDS): 40 V
    - 最大连续漏极电流(ID):
    - TA = 25 °C: 15.8 A
    - TA = 70 °C: 12 A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 200 A
    - 雪崩耐量电流(IAS): 39 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 94.8 mJ
    - 最大输出源-漏二极管电流(IS): 90 A
    - 最大功耗(PD):
    - TC = 25 °C: 100 W
    - TC = 70 °C: 75 W
    - 工作温度范围: -55°C 至 175°C
    - 热阻抗:
    - 最大结点到环境(RthJA): 32 °C/W
    - 最大结点到外壳稳态(RthJC): 0.5 °C/W

    产品特点和优势


    1. 高可靠性: 通过100% Rg和UIS测试,确保长期稳定运行。
    2. 低导通电阻(RDS(on)): 在VGS=10V时,RDS(on)为0.013Ω,有效减少功耗。
    3. 优异的热管理: 热阻抗较低,散热性能优秀,保证器件在高温环境下也能可靠工作。
    4. 符合RoHS标准: 适用于多种环保要求严格的场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器电源管理: 在服务器电源管理中,用于电压调节和功率分配,保证系统稳定供电。
    - 直流到直流转换: 在通信和工业设备中,用于电压转换和电流控制。
    使用建议:
    - 散热设计: 需要良好的散热措施,以保持器件在规定的温度范围内工作。
    - 驱动电路: 建议使用适当的栅极电阻来优化开关性能,减小开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 可以与其他标准的功率模块和控制芯片配合使用,适用于多种电子控制系统。
    - 厂商支持: 提供详细的技术手册和应用指南,提供电话技术支持和服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    1. 问: 功耗过大会导致什么问题?
    - 答: 功耗过大可能导致器件过热,降低使用寿命。建议增加散热片或采用更好的散热方式。
    2. 问: 开关频率过快会影响什么?
    - 答: 过高的开关频率会导致开关损耗增加,可能需要选择合适的驱动电路来减缓开关速度。
    3. 问: 低温环境下工作,性能会受到影响吗?
    - 答: 低温下,RDS(on)可能会有所变化,需要关注温升对性能的影响。

    总结和推荐


    综上所述,TK20S04K3L是一款性能优异、可靠稳定的N沟道MOSFET。它具有出色的热管理和低导通电阻,特别适合于高可靠性要求的应用场合。建议在电源管理和高功率转换领域中积极采用,对于要求严苛的系统尤其适用。强烈推荐。

TK20S04K3L-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,14mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.78V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

TK20S04K3L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TK20S04K3L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TK20S04K3L-VB TK20S04K3L-VB数据手册

TK20S04K3L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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型号 价格(含增值税)
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