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K4067-TL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: K4067-TL-E-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4067-TL-E-VB

K4067-TL-E-VB概述

    # K4067-TL-E N-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K4067-TL-E 是一款由 VBsemi 提供的高性能 N-Channel MOSFET 器件,采用 TrenchFET® 技术设计,专为服务器、OR-ing 和 DC/DC 应用等领域而优化。这款器件具备卓越的低导通电阻(RDS(on))和快速开关能力,广泛应用于电源管理、负载均衡及功率控制等领域。
    主要功能
    - 高效能的低导通电阻(RDS(on)),可显著降低功耗。
    - 快速的开关性能,适合高频应用需求。
    - 支持 RoHS 指令要求,符合绿色环保标准。
    应用领域
    - 服务器电源管理:用于分布式电源管理与负载均衡。
    - OR-ing 电路:用于多路供电切换及保护。
    - DC/DC 转换器:适用于高效率的直流电压转换。

    技术参数


    以下是 K4067-TL-E 的关键技术和性能参数汇总:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 栅源击穿电压 | - | 30 | - | V |
    | 栅漏电荷 (Qg) | 25 | 35 | - | nC |
    | 开启电压 (VGS(th)) | 1.5 | 2.0 | - | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.007 | 0.009 | - | Ω |
    | 工作温度范围 | -55 | 175 | 175 | °C |
    | 热阻(结到环境) | 32 | 40 | - | °C/W |
    其他关键指标:
    - 保证 100% 的栅极电阻和 UIS 测试。
    - 最大连续漏极电流 (ID):90 A(TJ=175°C)。
    - 脉冲漏极电流 (IDM):200 A。

    产品特点和优势


    1. 高效的 TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽工艺,实现更低的导通电阻和更高的开关速度。
    2. 增强可靠性:通过严格的UIS和栅极电阻测试,确保长期运行稳定性。
    3. 绿色环保设计:完全符合 RoHS 指令,适用于现代环保要求较高的电子系统。
    4. 广泛的应用兼容性:在多种工业和消费电子环境中表现出色,适合各种高频率和高功率场景。

    应用案例和使用建议


    典型应用案例
    1. 服务器电源系统:通过多路 OR-ing 配置实现高效负载分配。
    2. DC/DC 转换器:优化输入电压至所需输出电压的转换效率。
    使用建议
    - 在高频应用中,建议适当增加散热片以降低热阻并提高器件寿命。
    - 注意驱动电路的优化,避免过高的驱动电压导致器件损坏。
    - 结合热设计规范,确保器件工作温度始终在安全范围内。

    兼容性和支持


    K4067-TL-E 采用 TO-252 封装,便于贴片安装,兼容大部分主流 PCB 设计。VBsemi 提供全面的技术支持,包括样品供应、参考设计和定制化服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 器件发热严重 | 检查散热设计,增加散热片或优化布局。 |
    | 开关速度较慢 | 优化驱动电路,使用合适的驱动电压和栅极电阻。 |
    | 导通电阻过高 | 更换更高规格的 MOSFET 或检查工作温度。 |

    总结和推荐


    K4067-TL-E N-Channel MOSFET 是一款功能强大且性能稳定的器件,尤其适合高频率、高效率的应用场景。其优越的导通电阻和开关性能使其成为服务器、OR-ing 和 DC/DC 应用的理想选择。VBsemi 提供的专业技术支持和良好的兼容性进一步提升了该器件的市场竞争力。
    推荐使用场景:如果您的项目需要高效能的功率控制或快速开关性能,强烈推荐使用 K4067-TL-E!

K4067-TL-E-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 70A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K4067-TL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4067-TL-E-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4067-TL-E-VB K4067-TL-E-VB数据手册

K4067-TL-E-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
库存: 400000
起订量: 20 增量: 2500
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