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UPA1701AG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: UPA1701AG-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1701AG-VB

UPA1701AG-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(型号UPA1701AG)是一款高性能功率场效应晶体管(Power MOSFET),适用于高侧同步整流操作。这款产品采用无卤素设计,具有高可靠性,适合笔记本电脑CPU核心中的高侧开关应用。其特点包括:先进的沟槽技术(TrenchFET®),确保优异的性能和稳定性;并且所有样品均经过100% Rg和UIS测试,以保证产品的质量和可靠性。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 最大漏源电压(VDS):30V
    - 最大栅源电压(VGS):±20V
    - 最大漏极电流(TJ = 150°C):13A(TC = 25°C),9A(TC = 70°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):45A
    - 最大连续源极-漏极二极管电流(IS):3.7A(TC = 25°C),2.0A(TC = 70°C)
    - 电阻参数:
    - 导通阻抗(RDS(on)):在VGS = 10V时为0.008Ω,VGS = 4.5V时为0.011Ω
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):1µA(VDS = 30V,VGS = 0V)
    - 热阻参数:
    - 最大结点到环境热阻(RthJA):39°C/W(典型值),55°C/W(最大值)
    - 最大结点到脚(漏极)热阻(RthJF):25°C/W(典型值),29°C/W(最大值)
    - 电容参数:
    - 输入电容(Ciss):800pF
    - 输出电容(Coss):165pF
    - 反向传输电容(Crss):73pF
    - 其他参数:
    - 最大功耗(PD):4.1W(TC = 25°C),2.5W(TC = 70°C)
    - 运行结点温度范围:-55°C至150°C

    产品特点和优势


    UPA1701AG MOSFET具有多个独特的优势,使其成为高效能应用的理想选择。首先,它采用了无卤素设计,符合RoHS标准,具有环保和健康保护的优点。其次,该产品经过严格的100% Rg和UIS测试,确保了极高的质量和可靠性。最后,该MOSFET专门针对高侧同步整流进行了优化,适合用于笔记本电脑CPU的核心高侧开关,提供优异的性能和稳定性。

    应用案例和使用建议


    UPA1701AG MOSFET广泛应用于笔记本电脑CPU的核心高侧开关,能够有效提高系统的效率和可靠性。根据手册中的应用示例,该产品适用于需要高可靠性的场合,例如服务器、通信设备等。
    使用建议:
    - 在应用中使用适当的散热措施,如散热片或散热器,以防止过热。
    - 保证适当的电源管理和输入输出信号的稳定。
    - 严格遵循制造商的技术手册中的安装指南和注意事项。

    兼容性和支持


    UPA1701AG MOSFET与现有的大多数电子系统兼容,适用于广泛的电路设计。制造商提供了详细的技术文档和支持,包括安装指南、测试报告和用户手册。此外,用户可以通过拨打服务热线400-655-8788获取更多帮助和技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间工作后设备温度过高。
    - 解决办法:增加外部散热措施,例如散热片或散热器,确保良好的空气流通。

    - 问题2:在高温环境下工作不稳定。
    - 解决办法:在电路设计中增加热管理措施,如使用更大的散热器或改进散热路径。

    总结和推荐


    总体而言,UPA1701AG N-Channel 30-V (D-S) MOSFET是一款性能卓越且可靠性高的产品。它具备多项优势,特别适用于笔记本电脑CPU核心高侧开关及其他需要高效率和高可靠性的应用场合。鉴于其广泛的应用范围和可靠的性能,我们强烈推荐这款产品给对电子设备性能有高要求的设计者和工程师。

UPA1701AG-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,15mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 12A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV~2.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1701AG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1701AG-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA1701AG-VB UPA1701AG-VB数据手册

UPA1701AG-VB封装设计

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