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UT2327G-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:'SOT23-3\n一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: 14M-UT2327G-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT2327G-AE3-R-VB

UT2327G-AE3-R-VB概述

    UT2327G-AE3-R P-Channel 20-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UT2327G-AE3-R 是一款P沟道20-V(漏极到源极)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件的主要功能是用于负载开关和功率放大器切换,适用于各种直流/直流转换器。由于其高可靠性、低电阻和快速开关速度,它在电源管理领域有着广泛的应用。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 20V
    - 连续漏电流 (ID):
    - 25°C: -5A
    - 70°C: -4.8A
    - 25°C,带散热: -4.5A
    - 70°C,带散热: -3.5A
    - 脉冲漏电流 (IDM): -18A
    - 反向传输电容 (Crss): 155pF
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - 10nC (VDS = -10V, VGS = -4.5V)
    - 6.4nC (VDS = -10V, VGS = -2.5V)
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 150°C
    - 热阻抗 (RthJA): 75-100°C/W
    - 封装 : TO-236 (SOT-23)

    3. 产品特点和优势


    - 无卤素:符合IEC 61249-2-21定义
    - TrenchFET®技术:提高功率效率和可靠性
    - 100% Rg测试:确保产品质量
    - RoHS合规:符合欧盟2002/95/EC指令

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关:适用于电池管理系统中的开关控制。
    - PA开关:应用于无线通信设备中作为功率放大器的开关。
    - DC/DC转换器:在各种直流电源转换应用中作为高效能的开关器件。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计以保证可靠运行。
    - 针对高频率开关的应用,需要选择适当的栅极驱动电路以减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于大多数标准SOT-23封装的印刷电路板。
    - 厂商支持:VBsemi提供详细的技术文档和支持服务,包括电话和邮件咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高温下使用时,器件过热。
    - 解决方案:增加外部散热器或改进PCB散热设计。
    - 问题:在高频应用中出现振铃现象。
    - 解决方案:使用合适的栅极电阻或增加栅极滤波电路。

    7. 总结和推荐


    综上所述,UT2327G-AE3-R是一款高性能、可靠的P沟道MOSFET,具有出色的热稳定性和快速的开关性能。其主要优点包括低电阻、无卤素材料和RoHS合规性。该产品适用于多种电力管理和通讯应用,强烈推荐给需要高效能开关器件的设计工程师。

UT2327G-AE3-R-VB参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs-栅源极电压 12V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
Id-连续漏极电流 4A
栅极电荷 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT2327G-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT2327G-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT2327G-AE3-R-VB UT2327G-AE3-R-VB数据手册

UT2327G-AE3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.3373
50+ ¥ 0.3174
150+ ¥ 0.2833
500+ ¥ 0.2123
3000+ ¥ 0.2044
9000+ ¥ 0.1984
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