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K3313_06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K3313_06-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3313_06-VB

K3313_06-VB概述

    K331306-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    K331306-VB 是一款N沟道650V(D-S)功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压和高效率的应用场景。它主要用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)以及工业控制设备。该产品以其卓越的性能和广泛的适用范围,在众多电力电子应用中占据一席之地。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 典型漏源导通电阻 (RDS(on)):当栅源电压VGS为10V时,漏极电流ID为8A时,阻值典型为0.43Ω
    - 最大总门极电荷 (Qg max.):43nC
    - 典型输入电容 (Ciss):5pF
    - 典型门极-漏极电荷 (Qgd):22nC
    - 最大连续漏极电流 (ID):12A(TJ = 25°C),9.4A(TJ = 100°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):45A
    - 最高工作温度 (TJ, Tstg):-55°C至+150°C
    - 热阻 (RthJA):60°C/W
    - 重复雪崩能量 (EAS):mJ

    3. 产品特点和优势


    K331306-VB 功率MOSFET 具备多个显著特点:
    - 低优值系数 (Ron x Qg):有助于降低功率损耗,提高能效。
    - 低输入电容 (Ciss):减少驱动器需求,进一步降低功耗。
    - 低开关损耗和导通损耗:显著提高整体系统效率。
    - 超低门极电荷 (Qg):降低驱动能耗。
    - 雪崩能量额定值 (UIS):确保在高压条件下稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    K331306-VB 广泛应用于多种电子设备中:
    - 服务器和电信电源:可作为高效的电力转换器,实现高可靠性运行。
    - 开关模式电源 (SMPS):用于高效稳压,减少能源浪费。
    - 照明系统:用于高强度放电灯和荧光灯镇流器,提高光源稳定性和效率。
    使用建议:
    - 在选择电源设计时,应确保K331306-VB的热管理得当,以避免过温情况。
    - 确保驱动器电路设计合理,以降低驱动能耗并提高整体效率。

    5. 兼容性和支持


    K331306-VB 带有TO-220 FULLPAK封装,易于安装和散热。该产品与大多数主流电源系统和控制器高度兼容,方便集成到现有设计中。此外,制造商提供详细的技术支持和售后保障,确保客户在使用过程中无后顾之忧。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET的RDS(on)随温度升高而增加。
    解决办法:选择合适的散热措施,如加装散热片或采用水冷系统。

    - 问题2:驱动电流不稳定导致MOSFET失效。
    解决办法:使用恒流源进行驱动,并确保驱动电路的稳定性。

    7. 总结和推荐


    K331306-VB N-Channel 650V Power MOSFET 是一款性能优异、应用广泛的功率器件。它的低损耗、高可靠性和广泛兼容性使其成为电力电子领域的理想选择。鉴于其卓越的功能和良好的市场反馈,强烈推荐在需要高效率和高可靠性的应用场景中使用。
    结论:这款产品以其出色的性能和可靠性,值得在需要高性能功率控制的场合中考虑使用。

K3313_06-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 12A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3313_06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3313_06-VB数据手册

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K3313_06-VB封装设计

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