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K654-Z-E1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: K654-Z-E1-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K654-Z-E1-VB

K654-Z-E1-VB概述

    N-Channel 100 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品是一款 N-Channel 100 V MOSFET(沟道场效应晶体管),适用于高压应用。它的核心特性是采用 TrenchFET® Power MOSFET 技术,能够在高温环境下(最高达175°C)正常运行。它广泛应用于电源管理、开关电源和其他高可靠性电路设计中。

    技术参数


    - 基本特性:
    - 沟道类型:N沟道
    - 击穿电压 (VDS):100 V
    - 开启状态电阻 (RDS(on)):典型值为0.05Ω(在VGS = 10 V,ID = 3 A时)
    - 漏极连续电流 (ID):25°C时可达40 A(脉冲情况下的最大值为40 A)

    - 电气特性:
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS):VDS = 100 V时,最大值为250 μA
    - 转导电容 (Ciss):950 pF
    - 输出电容 (Coss):120 pF
    - 反向转移电容 (Crss):60 pF
    - 总栅电荷 (Qg):24~41 nC
    - 热特性:
    - 最大功耗 (PD):25°C时为96 W
    - 结到环境热阻 (RthJA):15°C/W(快速瞬态情况),40°C/W(稳态情况)
    - 结到外壳热阻 (RthJC):0.85°C/W(快速瞬态情况)
    - 工作环境:
    - 操作结温和存储温度范围:-55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    1. 耐高温能力:能够在高达175°C的结温下稳定工作,特别适合恶劣环境下的应用。
    2. PWM优化:专为脉宽调制(PWM)设计,能够提供优异的效率和响应速度。
    3. 可靠性高:所有批次都经过100%栅极电阻测试,符合RoHS标准,确保环保和高可靠性。
    4. 性能卓越:超低的开启状态电阻,使得导通损耗降至最低。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在电源转换器中的初级侧开关应用
    - 作为功率转换电路中的高效开关元件
    使用建议:
    - 确保在使用时,环境温度不超过规定的最大值,以避免因过热导致损坏。
    - 在进行高温操作时,需额外注意散热措施,如加装散热片或风扇。
    - 使用过程中应严格遵守操作规程,以确保安全。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品采用TO-252封装,适用于标准的PCB安装。
    - 支持信息:
    - 厂商提供技术支持,包括应用指南和技术文档。
    - 服务热线:400-655-8788

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境中出现过热现象。
    - 解决办法:增加外部散热装置,如散热片或散热风扇。

    2. 问题:栅极电压过高导致器件损坏。
    - 解决办法:确保在规定的栅极电压范围内使用,并且避免超过额定值。

    总结和推荐


    这款 N-Channel 100 V MOSFET 以其卓越的性能和耐高温能力,在高压应用领域具有明显的优势。其出色的耐高温能力和可靠的电气性能使其成为各种工业应用的理想选择。因此,我们强烈推荐使用这款产品。

K654-Z-E1-VB参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 18A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K654-Z-E1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K654-Z-E1-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K654-Z-E1-VB K654-Z-E1-VB数据手册

K654-Z-E1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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