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SIHFU310-E3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: SIHFU310-E3-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SIHFU310-E3-VB

SIHFU310-E3-VB概述


    产品简介


    SIHFU310-E3 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET具有低栅极电荷(Qg)和改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐受性。其主要功能包括高可靠性和全面的电气特性参数。这些特性使得它非常适合于各种电力转换和驱动应用,例如开关电源、电机控制和汽车电子系统。

    技术参数


    基本参数
    - 漏源电压 (VDS): 650 V
    - 栅源电压 (VGS): ±30 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在TC=25°C时为1.28 A
    - 在TC=100°C时为8 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 45 W
    - 重复性雪崩能量 (EAS): 165 mJ
    - 重复性雪崩电流 (IAR): 2 A
    - 重复性雪崩能量 (EAR): 6 mJ
    - 最高功耗 (PD): 45 W
    - 峰值二极管恢复电压 (dV/dt): 2.8 V/ns
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 650 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.0 V 至 4.0 V
    - 零栅压漏极电流 (IDSS):
    - VDS = 650 V 时为25 µA
    - VDS = 520 V, TJ = 125°C 时为250 µA
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 1 A 时为4.0 Ω
    动态参数
    - 输入电容 (Ciss):
    - VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz 时为417 pF
    - 输出电容 (Coss):
    - VGS = 0 V 时为45 pF
    - 反向转移电容 (Crss):
    - VGS = 0 V 时为5 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - VGS = 10 V, ID = 1 A, VDS = 400 V 时为11 nC
    - 开启延迟时间 (td(on)):
    - VDD = 325 V, ID = 1.2 A, RG = 9.1 Ω, RD = 62 Ω 时为14 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 34 ns
    - 体二极管的恢复时间 (trr): TJ = 25°C, IF = 3.2 A, dI/dt = 100 A/µs 时为180 至 230 ns
    - 体二极管恢复电荷 (Qrr): 2.1 至 3.2 µC

    产品特点和优势


    SIHFU310-E3 的主要优势在于其低栅极电荷和改进的耐受性,使其能够简化驱动要求并提高系统的整体可靠性。此外,它的全面电气特性和广泛的工作温度范围使得其能够在多种严苛环境下稳定工作,特别适用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    SIHFU310-E3 广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理和汽车电子等领域。在典型的开关电源应用中,它可以作为主要开关元件,用于实现高效的电力转换。
    使用建议
    1. 散热管理: 确保良好的散热措施以避免高温导致的性能下降。
    2. 驱动电路设计: 使用适当的栅极驱动电路以确保开关速度和降低损耗。
    3. 电路布局: 采用低杂散电感和良好的接地平面设计,以减少噪声干扰。

    兼容性和支持


    SIHFU310-E3 与市场上大多数标准电源转换器和电机控制器兼容。厂商提供了详细的技术文档和应用指南,同时也有专门的技术支持团队为客户提供帮助。此外,公司保证该产品符合RoHS和无卤素标准。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题: 开关频率过高导致发热严重。
    - 解决方案: 调整驱动电路和负载条件,以优化热管理。

    2. 问题: 电路出现高频振荡。
    - 解决方案: 检查并改善电路布局,特别是减少寄生电感的影响。

    总结和推荐


    综上所述,SIHFU310-E3 是一款具有高性能和广泛应用潜力的N沟道功率MOSFET。其低栅极电荷和良好的耐受性使得其在工业和汽车电子领域的应用中表现出色。因此,我强烈推荐此产品给需要高效电力转换和高可靠性系统的工程师和技术人员。

SIHFU310-E3-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 2A
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

SIHFU310-E3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SIHFU310-E3-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SIHFU310-E3-VB SIHFU310-E3-VB数据手册

SIHFU310-E3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
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