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K5A55DA4-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K5A55DA4-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K5A55DA4-VB

K5A55DA4-VB概述

    Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    这款Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一款高效能的电子元器件,适用于多种工业应用。它具备低电阻和低栅极电荷等特性,使其成为各种电源管理应用的理想选择,如服务器电源、电信电源、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)以及高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器照明系统。

    技术参数


    - 最大耐压 \( V{DS} \):650V
    - 最大连续漏电流 \( ID \):3.5A(\( TJ \) = 150°C)
    - 最大栅极-源极电压 \( V{GS} \):±30V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):最大值为1Ω(在25°C下,\( V{GS} \) = 10V时)
    - 总栅极电荷 \( Qg \):最大值为32nC(\( V{GS} \) = 10V,\( ID \) = 4A,\( V{DS} \) = 520V)
    - 输入电容 \( C{iss} \):无具体数值
    - 输出电容 \( C{oss} \):无具体数值
    - 反向转移电容 \( C{rss} \):无具体数值

    产品特点和优势


    这款Power MOSFET的主要优势在于其低阻抗、低栅极电荷和低输入电容,这些特性使其具有出色的效率和较低的开关及导通损耗。它能够减少整个系统的能量损耗,提升整体性能。同时,它具有高重复脉冲能量能力和低栅极-源极泄漏电流,增强了其可靠性。

    应用案例和使用建议


    这种Power MOSFET被广泛应用于服务器和电信电源系统,以及工业照明和电源转换设备。为了优化其性能,建议在设计电路时要充分考虑散热管理,以避免过热引起的损坏。另外,在实际应用中应确保电路布局合理,尽量减少寄生电感和泄漏电感的影响。

    兼容性和支持


    该产品适用于广泛的电路板设计,与多种电源管理系统兼容。厂商提供了详细的文档和支持,包括安装指南和技术支持热线(400-655-8788),以帮助用户解决任何技术问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:设备在高温环境下表现不稳定。
    - 解决方案: 确保良好的散热管理,可以采用外部散热片或其他散热方法来降低工作温度。

    - 问题:设备启动时存在明显的噪音。
    - 解决方案: 检查电路是否有短路或接线错误,确认接地良好并避免寄生电感影响。
    - 问题:设备工作时出现过高的导通电阻。
    - 解决方案: 确认 \( V{GS} \) 和 \( V{DS} \) 在正确的范围内,如果需要更高的驱动能力,考虑增加驱动电阻。

    总结和推荐


    总体而言,这款Power MOSFET凭借其高效的性能和可靠的设计,适用于各种高要求的应用场合。它能够在高压、高频环境中稳定工作,显著提高了电源系统的效率和可靠性。因此,我们强烈推荐使用这款产品,特别是在对能耗和效率有较高要求的应用中。

K5A55DA4-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 7A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K5A55DA4-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K5A55DA4-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K5A55DA4-VB K5A55DA4-VB数据手册

K5A55DA4-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
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