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K1151L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: K1151L-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1151L-VB

K1151L-VB概述

    # K1151L N-Channel Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    K1151L 是一款 N 沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),由台湾 VBsemi 电子公司生产。该器件具有出色的性能和可靠性,被广泛应用于各种开关电源、逆变器和电机驱动等高功率电路中。它通过提供低导通电阻(RDS(on))和高效率的开关性能,在功率电子领域具有重要地位。
    主要功能
    - 高效率开关操作
    - 超低导通电阻以降低功耗
    - 优化的电容特性,确保高速开关性能
    - 符合 RoHS 和无卤素标准
    应用领域
    K1151L 广泛应用于电源管理、新能源汽车、工业控制、通信设备及照明等领域。

    技术参数


    以下为 K1151L 的核心技术规格和性能参数:
    | 参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 漏源击穿电压 | V | — | 650 | — |
    | 漏极连续电流(TJ = 25°C) | A | — | 1.28 | — |
    | 导通电阻(VGS = 10V) | Ω | — | 5 | — |
    | 栅极电荷总值(VGS = 10V) | nC | — | 11 | — |
    | 门极-源极电荷 | nC | — | 2.3 | — |
    | 门极-漏极电荷 | nC | — | 5.2 | — |
    | 开关延迟时间(VDD = 325V) | ns | — | 14 | — |
    | 关断延迟时间 | ns | — | 34 | — |
    其他关键参数包括:
    - 重复雪崩能量:6 mJ
    - 最大功耗:45 W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 低门极电荷(Qg):有助于减少驱动功率需求,简化设计。
    2. 高可靠性:具备优秀的雪崩耐受能力和动态 dV/dt 承载能力,确保在恶劣环境中稳定运行。
    3. 全面电学特性测试:包括输入电容、输出电容、反向传输电容等详细参数。
    市场竞争力
    K1151L 在同类产品中具备显著优势:
    - 出色的热阻性能(RthJA = 65°C/W),能够有效散热并延长使用寿命。
    - 简化驱动电路设计,适用于高性能功率电子系统。
    - 严格符合环保法规(RoHS、无卤素),满足全球市场需求。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    1. DC-DC 转换器:K1151L 以其快速开关速度和低导通电阻,在高效 DC-DC 转换器中表现出色。
    2. 逆变器电路:利用其卓越的抗雪崩能力,可在高动态负载条件下稳定工作。
    3. 电机驱动:适配电机控制系统,提升能效比。
    使用建议
    - 在设计开关电源时,应注意优化电路布局,减小寄生电感对开关性能的影响。
    - 设置合适的栅极电阻以平衡开关速度和功耗需求。
    - 在高电流和高温环境下,需特别关注热设计,确保设备正常运行。

    兼容性和支持


    兼容性
    K1151L 支持标准封装 IPAK(TO-251),可轻松替换现有器件。此外,其性能参数与市面上主流产品高度兼容,便于集成到现有系统中。
    厂商支持
    台湾 VBsemi 提供全面的技术支持和服务保障,包括:
    - 完整的产品文档和技术资料下载
    - 专业的技术咨询和支持团队
    - 定期更新产品规格以保持行业领先

    常见问题与解决方案


    问题1:如何选择合适的栅极电阻?
    解决方案:根据实际工作频率和负载条件选择合适的栅极电阻,通常建议在 5Ω~10Ω 之间。
    问题2:过温保护失效导致损坏?
    解决方案:确保良好的散热措施,必要时增加外部散热片或采用热管理系统。
    问题3:器件频繁发生雪崩失效?
    解决方案:检查电路是否存在瞬态高压尖峰,增加缓冲电路以吸收多余能量。

    总结和推荐


    综合评估
    K1151L N 沟道功率 MOSFET 在性能、可靠性和易用性方面表现优异。其低功耗、快速开关特性和广泛的工作温度范围使其成为许多功率电子系统的理想选择。
    推荐结论
    对于需要高效能、低功耗的开关电路设计,K1151L 是一款值得信赖的产品。强烈推荐用于 DC-DC 转换器、逆变器及电机驱动等应用场景。
    联系服务热线:400-655-8788 获取更多技术支持和购买信息!

K1151L-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 2A
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1151L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1151L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1151L-VB K1151L-VB数据手册

K1151L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
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