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K1290-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: K1290-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1290-VB

K1290-VB概述

    K1290-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册概述



    产品简介



    K1290-VB 是一款高性能 N-通道 60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高电压隔离应用。该产品主要用于电力电子系统中的开关电源、电机驱动和逆变器等领域。K1290-VB 具备出色的动态性能和耐热能力,能够在高温环境中稳定工作,是一款高可靠性的电子元件。


    技术参数



    - 基本规格
    - 漏源电压 (VDS):60 V
    - 栅源电压 (VGS):± 20 V
    - 连续漏极电流 (ID):25°C 下为 45 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):220 A(脉宽 ≤ 300 μs;占空比 ≤ 2%)
    - 最大功耗 (PD):25°C 下为 52 W
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):≤ 65 °C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC):≤ 3.1 °C/W
    - 总栅极电荷 (Qg):95 nC

    - 静态参数
    - 击穿电压 (VDS):≥ 60 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):1.0 V 至 3.0 V
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS):≤ 25 μA
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.027 Ω(VGS = 10 V)

    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss):1500 pF
    - 输出电容 (Coss):100 pF
    - 反向转移电容 (Crss):45 pF
    - 上升时间 (tr):≤ 120 ns
    - 下降时间 (tf):≤ 86 ns
    - 体二极管反向恢复时间 (trr):≤ 300 ns
    - 体二极管反向恢复电荷 (Qrr):1.2 μC 至 2.8 μC


    产品特点和优势



    - 高电压隔离:2.5 kVRMS 的高电压隔离能力使得 K1290-VB 在高电压应用中表现优异。
    - 低热阻:低热阻有助于快速散热,保证长时间稳定运行。
    - 宽工作温度范围:可在 -55°C 至 +175°C 的极端环境下工作,确保在恶劣环境中的可靠性。
    - 无铅:符合 RoHS 和无卤标准,环保安全。


    应用案例和使用建议



    - 应用场景:K1290-VB 常用于电力转换器、电机驱动、逆变器和各种工业自动化控制系统中。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,确保负载和电源之间的匹配,以避免过载。
    - 注意散热设计,尤其是在高功率应用中,使用合适的散热片和冷却系统。
    - 使用示波器监控关键点的电压和电流变化,确保电路正常工作。


    兼容性和支持



    - 兼容性:K1290-VB 可与市面上多数电源管理和驱动电路兼容,具体可参考供应商提供的详细资料。
    - 支持:台湾 VBsemi 提供详细的技术文档和支持,包括在线论坛和技术支持热线(400-655-8788)。


    常见问题与解决方案



    - 问题一:MOSFET 过热导致损坏
    - 解决方案:增加散热片,确保良好的空气流通。
    - 问题二:电路中的电磁干扰
    - 解决方案:使用滤波器减少电磁干扰,特别是在高频开关场合。
    - 问题三:无法正确关断
    - 解决方案:检查电路连接,确保栅极电阻设置正确,提高驱动电路的带负载能力。


    总结和推荐



    综上所述,K1290-VB 是一款高性能、高可靠性的 N-通道 60V MOSFET,适合应用于高电压隔离和大电流的电力电子系统中。其宽泛的工作温度范围、低热阻和高电压隔离特性使其在市场上具有显著的竞争优势。我们强烈推荐在需要高可靠性和高效能的应用场景中使用 K1290-VB。

K1290-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 45A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1290-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1290-VB数据手册

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K1290-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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