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KHB011N40P1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: KHB011N40P1-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KHB011N40P1-VB

KHB011N40P1-VB概述

    KHB011N40P1 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    KHB011N40P1 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,专为各种高效率电源转换应用设计。它具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(QG),能够显著减少开关损耗和传导损耗。这款MOSFET适用于多种应用领域,包括服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)以及工业设备。

    2. 技术参数


    以下是KHB011N40P1的主要技术规格:
    - 最大漏源电压 (VDS): 650 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±30 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在25°C时:17 A
    - 在100°C时:17 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 186 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 1.6 mJ
    - 最大功耗 (PD): 12 W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C
    - 最大结温 (TJ): 150°C
    - 热阻 (RthJA): 63 °C/W
    - 输入电容 (Ciss): 14.1 pF (在VGS=0 V, VDS=100 V, f=1 MHz条件下)
    - 输出电容 (Coss): 12 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 4.5 pF
    - 总栅极电荷 (QG): 10 nC (在VGS=10 V, ID=4 A, VDS=520 V条件下)
    - 门限电压 (VGS(th)): 2 V至4 V (在ID=250 μA条件下)
    - 零门电压漏极电流 (IDSS): ≤1 μA (在VDS=600 V, VGS=0 V条件下)

    3. 产品特点和优势


    KHB011N40P1 具有以下独特功能和优势:
    - 低栅极电荷 (QG): 减少开关损耗,提高能效。
    - 低输入电容 (Ciss): 改善高频性能,减少驱动损耗。
    - 超低雪崩能量 (EAS): 增强可靠性,确保在极端条件下的稳定运行。
    - 优化的导通电阻 (RDS(on)): 在高温环境下仍能保持低损耗。
    这些特性使其在服务器电源、通信电源、照明系统和工业设备等应用中表现出色,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    KHB011N40P1 的典型应用包括:
    - 服务器和电信电源: 高效的电源转换,降低能耗。
    - 开关模式电源 (SMPS): 快速开关,减少热损耗。
    - 功率因数校正 (PFC): 提高能源利用效率。
    - 照明系统: 适用于高强度放电灯和荧光灯镇流器,提供稳定的电流。
    使用建议:
    - 散热管理: 确保良好的散热措施,以避免过热。
    - 电路布局: 采用低杂散电感和接地平面的设计,减少干扰。
    - 驱动器选择: 使用与MOSFET同类型的驱动器,以确保最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    KHB011N40P1 与其他标准N沟道MOSFET兼容,可直接替换现有设计中的同类产品。VBsemi 提供全面的技术支持,包括产品文档、应用指南和客户支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: MOSFET在高温下性能下降?
    - 解决方案: 确保良好的散热措施,如使用散热片或风扇。
    - 问题: 开关过程中出现异常噪声?
    - 解决方案: 检查电路布局,确保低杂散电感和接地平面的设计。
    - 问题: 开关速度慢?
    - 解决方案: 调整栅极电阻 (RG),优化驱动信号。

    7. 总结和推荐


    KHB011N40P1 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有低栅极电荷、低输入电容和超低雪崩能量等优点。它在多种应用中表现出色,尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。强烈推荐在服务器电源、通信电源、照明系统和工业设备中使用此产品。

KHB011N40P1-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 9A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KHB011N40P1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KHB011N40P1-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KHB011N40P1-VB KHB011N40P1-VB数据手册

KHB011N40P1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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