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MMDF2N05ZR2G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8 在工业自动化领域,该产品可用于工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块,提高系统的运行效率和稳定性。
供应商型号: MMDF2N05ZR2G-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) MMDF2N05ZR2G-VB

MMDF2N05ZR2G-VB概述


    产品简介


    产品名称:MMDF2N05ZR2G
    类型:双N沟道60V(D-S)175°C TrenchFET® 功率MOSFET
    功能:这款MOSFET采用先进的TrenchFET® 技术设计,具有低导通电阻(RDS(on))和高温度稳定性,适合各种功率管理应用场景。
    主要应用领域:适用于开关电源、电池管理系统、电机驱动和工业控制等领域。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 60 V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 持续漏极电流(TC=25°C) | ID | 7 A |
    | 连续栅极电荷 | Qg 11.7 | 18 | nC |
    | 阈值电压 | VGS(th) | 1.5 | 2.0 | 2.5 | V |
    | 导通电阻(VGS=10V) | RDS(on) 0.028 Ω |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 175 | °C |
    其他关键参数:
    - 绝对最大额定值:IDM(单脉冲漏极电流)= 28A,TJ(结温)= -55至+175°C
    - 热阻抗:RthJA = 110°C/W,RthJF = 34°C/W
    - 极限工作环境:结到环境散热板功率耗散(TC=25°C)= 4W

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:典型值为0.028Ω(VGS=10V),可显著降低功耗并提高效率。
    2. 高可靠性:100% Rg和UIS测试,确保设备稳定运行。
    3. 高温性能优异:可在高达175°C的工作温度下正常工作。
    4. 快速开关性能:典型的开关延迟时间td(on)为7ns,上升时间tr为3.3ns。
    5. 封装紧凑:采用标准SO-8封装,便于集成于多种电路设计中。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:利用其高开关速度和低导通电阻,可有效提升电源转换效率。
    - 电池管理系统:在电池充放电过程中,提供稳定的电流控制。
    - 电机驱动:适合作为功率开关元件,驱动小型电机。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需确保散热设计合理,避免因过热导致器件损坏。
    - 结合PWM控制器优化电路设计,以最大化利用其快速开关性能。
    - 在电池管理系统中,建议将此MOSFET与保护电路配合使用,进一步增强系统安全性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与主流的PCB布局工具和焊接工艺高度兼容,可轻松集成至现有电路板设计。
    - 技术支持:VBsemi提供全面的技术支持服务,包括产品文档下载、样品申请和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 增加散热片,优化电路设计 |
    | 漏电流异常增大 | 检查栅极驱动电路设计 |
    | 温度过高导致性能下降 | 调整负载分配或增加外部冷却措施 |

    总结和推荐


    综合评估:MMDF2N05ZR2G是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,其低导通电阻、宽工作温度范围及快速开关特性使其成为众多电力电子应用的理想选择。此外,其高性价比也使得它在市场上具有较强的竞争力。
    推荐使用:强烈推荐在需要高效能和高可靠性电子系统的场合使用此产品。无论是工业控制还是消费类电子产品,此款MOSFET都能表现出色。

MMDF2N05ZR2G-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 6A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,32mΩ@4.5V
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

MMDF2N05ZR2G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

MMDF2N05ZR2G-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 MMDF2N05ZR2G-VB MMDF2N05ZR2G-VB数据手册

MMDF2N05ZR2G-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.8212
4000+ ¥ 1.742
库存: 400000
起订量: 15 增量: 4000
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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