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K3683-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: K3683-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3683-01MR-VB

K3683-01MR-VB概述

    K3683-01MR-VB N-Channel 550V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3683-01MR-VB 是一款高性能的 N-Channel 550V 功率 MOSFET,专为多种工业和消费电子应用设计。其低导通电阻(RDS(on))和高可靠性使它成为众多应用的理想选择。该产品适用于诸如电源转换、显示驱动、电池充电器及电机控制等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源电压 VDS | - | - | 550 | V |
    | 导通电阻 RDS(on) | - | 0.26 | - | Ω |
    | 栅源电荷 Qg | - | 80 | 150 | nC |
    | 栅极输入电容 Ciss | - | 3094 | - | pF |
    | 输出电容 Coss | - | 152 | - | nF |
    | 门极驱动电阻 Rg | - | 1.8 | - | kΩ |

    产品特点和优势


    - 低阻抗设计:RDS(on)为0.26Ω,具备超低内阻,适合高频开关应用。
    - 高效能:栅源电荷Qg低至80nC,保证了低功耗和高速开关性能。
    - 简化门极驱动电路:门极驱动电阻仅为1.8kΩ,便于实现简单的驱动电路设计。
    - 增强的体二极管坚固性:适用于各种复杂的工作条件。

    应用案例和使用建议


    K3683-01MR-VB 在服务器电源、电信电源、显示器(LCD或等离子电视)、焊接设备、感应加热系统、电动机驱动和电池充电器中均有广泛应用。对于需要低功耗和快速开关的应用场合,此款 MOSFET 特别适用。建议在设计时注意散热管理,以确保其在高温环境下也能稳定运行。

    兼容性和支持


    该产品与其他标准的 N-Channel MOSFET 兼容,便于替换现有的同类产品。制造商提供详细的文档和技术支持,帮助客户解决应用中的各种问题。此外,还有完善的售后服务保障,确保客户的利益。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |
    | :: | :: |
    | 开关速度慢 | 确保门极驱动电阻合适,检查栅极电荷是否充足。 |
    | 散热不足 | 使用合适的散热片或风扇进行散热。 |
    | 二极管反向恢复时间长 | 使用低反向恢复二极管进行辅助。 |

    总结和推荐


    总体而言,K3683-01MR-VB MOSFET 在多个方面表现出色,尤其是在低阻抗和高效率方面,能够满足大多数应用的需求。它非常适合用于高频率开关应用,特别是在服务器电源和电信电源中。因此,我们强烈推荐使用此产品,尤其在注重性能和效率的应用中。

K3683-01MR-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 550V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3683-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3683-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3683-01MR-VB K3683-01MR-VB数据手册

K3683-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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型号 价格(含增值税)
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