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UT20N03-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: UT20N03-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT20N03-VB

UT20N03-VB概述

    UT20N03 N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UT20N03 是一款由台湾 VBsemi 电子有限公司生产的 N 沟道 MOSFET,特别适用于服务器和电源转换等应用场合。它采用了先进的 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术,具有低导通电阻和高电流处理能力,能够显著提高系统的效率和可靠性。

    技术参数


    - 电压范围: VDS = 30V
    - 最大漏极电流: TC = 25 °C, ID = 90A;TC = 70 °C, ID = 3.13A
    - 导通电阻:
    - VGS = 10 V, ID = 21.8 A 时 RDS(on) = 0.007Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 18 A 时 RDS(on) = 0.009Ω
    - 总栅极电荷:
    - VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 21.8 A 时 Qg = 35 nC
    - VDS = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 21.8 A 时 Qg = 25 nC
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 VDS = 30V
    - 栅源电压 VGS = ±20V
    - 最大脉冲漏极电流 IDM = 200A
    - 工作温度范围: TJ, Tstg = -55 to 175 °C
    - 热阻:
    - 最大结点到环境热阻 RthJA = 32°C/W(短脉冲情况)
    - 最大结点到外壳稳态热阻 RthJC = 0.5°C/W

    产品特点和优势


    1. 高可靠性和稳定性: 经过 100% Rg 和 UIS 测试,符合 RoHS 指令 2011/65/EU。
    2. 低导通电阻: 极低的 RDS(on),可以显著降低功耗,提高效率。
    3. 快速开关性能: 具备出色的动态特性,能够实现高速开关操作,减少开关损耗。
    4. 优异的热性能: 高效的热阻设计,能够在高功率密度下保持良好的温度控制。
    5. 高集成度: 尺寸紧凑,易于安装和集成到现有电路中。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景: 适用于 OR-ing、服务器和 DC/DC 转换等应用场合。
    - 使用建议:
    - 在高温环境下工作时,应考虑增加散热措施以确保长期稳定运行。
    - 使用前请详细阅读技术手册,合理设置栅极驱动电压以避免过高的栅极电压导致击穿。
    - 在进行 PCB 布局时,尽量将 MOSFET 的引脚靠近负载,以减小寄生电感和提高系统的响应速度。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与多种电路板和电源系统高度兼容,可直接替换同类型号的 MOSFET。
    - 支持: 厂商提供全面的技术支持,包括详细的技术手册和在线客服,用户可以在遇到问题时随时寻求帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 高温环境下工作时 MOSFET 过热。
    - 解决方案: 确保有足够的散热装置,例如安装散热片或风扇,以增强散热效果。

    - 问题2: 开关过程中出现不稳定现象。
    - 解决方案: 调整栅极驱动电压,确保其在规定的范围内,以获得稳定的开关性能。

    总结和推荐


    UT20N03 MOSFET 在设计和制造上表现出色,具备低导通电阻、快速开关能力和优异的热性能。对于需要高性能和高可靠性的应用场合,UT20N03 是理想的选择。强烈推荐在服务器、OR-ing 应用以及其他需要高效能的电力电子设备中使用。

UT20N03-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 70A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT20N03-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT20N03-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT20N03-VB UT20N03-VB数据手册

UT20N03-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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