处理中...

首页  >  产品百科  >  MMDF4207R2G-VB

MMDF4207R2G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n双P沟道,-30V,-7A,RDS(ON),35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8\n双通道功率场效应管,适用于需要高功率和高耐压的应用场景,包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。
供应商型号: MMDF4207R2G-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) MMDF4207R2G-VB

MMDF4207R2G-VB概述

    Dual P-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    Dual P-Channel 30-V MOSFET(型号为 MMDF4207R2G)是一款高性能的双极型沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET)。这款器件主要用于负载开关的应用场景,具有多种特点,如无卤素设计、耐受高电压(最高30V)和优异的温度稳定性。它适用于各种电力管理和驱动控制的场合,确保系统稳定高效运行。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 (VDS) | -30 | - | - | V |
    | 栅源电压 (VGS) | ±20 | - | - | V |
    | 持续漏电流 (TC = 25°C) | -7.3 | - | -7.0 | A |
    | 额定脉冲漏电流 | -32 | - | - | A |
    | 突发漏电击穿能量 | 20 | - | - | mJ |
    | 最大耗散功率 | 5.0 | - | 3.2 | W |
    | 热阻率(最大结到引脚)| 20 | - | 25 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    1. 无卤素设计:符合环保要求,适合现代电子产品需求。
    2. 高效能TrenchFET® Power MOSFET:低导通电阻(0.029Ω@VGS=-10V),能够有效降低功耗,提高电路效率。
    3. 高可靠性测试:100% UIS(雪崩测试)合格,确保产品在极端条件下的稳定性和可靠性。
    4. 温度适应性强:可承受-55至150°C的工作温度范围,适用于各种严苛环境。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:广泛应用于负载开关、电源管理等领域,如电机控制、电池充电电路等。
    使用建议:
    - 在使用过程中注意散热,尤其是在高电流和高温环境下。
    - 合理选择栅极驱动信号,以减少功耗并保证开关速度。
    - 注意电源电压的稳定性,避免过压导致器件损坏。

    5. 兼容性和支持


    该产品设计为SO-8封装,兼容标准引脚布局,便于集成到现有电路板设计中。制造商提供详细的技术支持和售后服务,帮助用户解决应用中可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题: 导通电阻过高。
    - 解决方法: 检查是否符合工作电压范围,适当调整栅源电压以降低RDS(on)。
    2. 问题: 温度过高导致器件故障。
    - 解决方法: 采取有效的散热措施,如增加散热片或外部冷却装置。

    7. 总结和推荐


    总体来看,Dual P-Channel 30-V MOSFET具备出色的性能和可靠性,适用于各种高压及高功率应用场合。由于其无卤素设计、低导通电阻及良好的温度适应性,推荐给需要高性能电源管理和驱动控制系统的用户。在选择时需考虑具体应用环境的散热需求及电压范围。

MMDF4207R2G-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Id-连续漏极电流 7A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@10V,48mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

MMDF4207R2G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

MMDF4207R2G-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 MMDF4207R2G-VB MMDF4207R2G-VB数据手册

MMDF4207R2G-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
库存: 400000
起订量: 20 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 27.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
070N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
086N10N-VB TO262 ¥ 3.887
0902NS-VB ¥ 3.498
091N06N-VB TO220 ¥ 3.887
100N06L-VB ¥ 3.1091
12N50C3-VB TO247 ¥ 12.5579
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0
130N03M-VB ¥ 1.9435
13P03SC-VB ¥ 1.5546